華為技術日本株式会社

【横浜・大阪】RFデバイス設計開発（GaN・SiC）HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎

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【売上高11兆円超を誇る中国のファーウェイ100％出資／世界人口の1/3の通信環境をサポート／170以上の国と地域で事業展開／特許取得数10万件以上／売上高の10％以上をR＆Dに投資／個別インセンティブ多数】

■業務内容：
・GaN／SiC RFデバイスデザイン／モデリング、回路アプリケーション、デバイスの信頼性と失効解析
・プロジェクトマネージャーに協力し、新製品の導入、量産目標の達成をサポートする
・カスタマイズデバイスの重要性能のスペック制定および測定評価を担当し、デバイスシミュレーションとモデルの関連問題を解決する
・GaN／SiC RFデバイスの先進技術のプレリサーチと技術路線を主導し、本社と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレイクスルーによって、鉄壁の技術を実現する

■会社の魅力：
【高い成長率を継続する情報通信企業】
・毎年売上の10％以上を研究開発費に投じる等、先端技術開発への投資が旺盛な企業として知られています。
・2014年～2018年における売上高の年平均成長率は26％、営業利益の年平均成長率は21％と進化を続けるグローバルメーカーです。

【世界人口の3分の1の通信環境をサポート】
・170を超える国と地域で事業を展開し、世界中で30億人以上の人々が当社の製品やサービスを使って通話、SMS、インターネットの利用をしています。
・通信事業者向けネットワーク事業、法人向けICTソリューション事業、コンシューマー向け端末事業の3つの事業分野を柱とし、あらゆる人、家庭、組織にデジタル化の価値を提供し、全てがつながったインテリジェントな世界を実現します。

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

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＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・半導体、物理、材料、電子等の関連分野の専攻および半導体デバイスデザイン関連の経験（8年以上）
・GaN／SiC RFデバイスの開発経験を持ち、半導体デバイスの原理およびRFにおける半導体デバイスのアプリケーションに精通している方
・一つまたは複数のプロセスプラットフォームのモデル抽出スキルおよびデバイスの特性評価テストに精通している方

■歓迎条件：
・半導体デバイスの信頼性、デバイスモデル、PDK等の経験

＜勤務地詳細1＞
大阪研究所
住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
＜勤務地詳細2＞
日本研究所 (横浜)
住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜
受動喫煙対策：屋内全面禁煙

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＜転勤＞
当面なし
将来的に海外事業所（中国）勤務となる可能性がございます。

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
コアタイム：10:00～15:00
休憩時間：60分（12:00～13:00）
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～18:00
＜その他就業時間補足＞
■月平均残業：20～30時間程度

正社員

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＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：月15万円まで定期代支給
社会保険：補足事項なし
退職金制度：補足事項なし

＜教育制度・資格補助補足＞
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＜その他補足＞
産休・育児休暇制度、介護休暇制度、健保組合の福利厚生施設が利用可能。
語学研修、語学研修補助金、文化体験（月餅、ちまき、水餃子作りなど）

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年間休日日数125日

■夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇、育児・介護休暇、慶弔休暇