- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
関西、デバイス開発（パワー半導体）、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果
関西、デバイス開発（パワー半導体）、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。滋賀県、京都府、大阪府など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1～4件を表示
- 仕事
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
【サムスンの中核研究所で世界最先端の技術開発に携わりませんか？／次世代家電の開発／自身のアイディアを形にできる】 【業
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞大阪研究所（ 箕面船場センタービル）住所：大阪府箕面市船場西2-1-11 箕面船場センタービル勤務地...
- 最寄駅
箕面船場阪大前駅、箕面萱野駅、千里中央駅(北大阪急行)
- 給与
＜予定年収＞600万円～1,500万円＜賃金形態＞月給制残業代・賞与別途支給＜賃金内訳＞月額（基本給）：400,0...
- 事業
■事業内容：同社はサムスン電子(グループ)の世界マーケット拡大に向けた戦略的な研究開発拠点として、通信機器、OA機...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
