～スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ！電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

■職務内容： イオン注入装置を使用し、ウェハーに対して半導体の製造工程の一部であるイオン注入を行って頂きます。装置オペレ

＜最終学歴＞大学院、大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：大阪府枚方市津田山手2-8-1 津田サイエンスヒルズ勤務地最寄駅：JR学研都市線／津田駅受...

津田駅、藤阪駅、長尾駅(大阪府)

＜予定年収＞280万円～450万円＜賃金形態＞月給制特記事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：199,000円～30...

■企業概要： 半導体・デバイス関連のイオン注入、機構部材への成膜、表面・表層関連の分析など、受託加工や受託研究など...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリスト技

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

■業務内容：光半導体の量産工場におけるプロセス開発業務を担当して頂きます。 ■詳細：下記いずれかの業務を担当して頂きま

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府宇治市槙島町十一161 ２Ｆ勤務地最寄駅：近鉄京都線／向島駅受動喫煙対策：屋内全面禁煙

向島駅、小倉駅(京都府)、ＪＲ小倉駅

＜予定年収＞426万円～600万円＜賃金形態＞年俸制残業代は別途支給＜賃金内訳＞年額（基本給）：2,986,800...

1973年の設立以来、独自の光半導体技術を用いて多くの独創的な製品を開発してきた光半導体の専業メーカーです。今後も...