- 仕事
~国内外からの出資企業多数!量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
半導体メーカー、デバイス開発(パワー半導体)、転勤なし(勤務地限定) の転職・求人検索結果
半導体メーカー、デバイス開発(パワー半導体)、転勤なし(勤務地限定)の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数10件中1~10件を表示
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【"2021年半導体売上世界1"サムスン電子の日本法人/潤沢な研究開発費用/自由な研究風土/最先端の研究】 MLCC研
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>大阪拠点住所:大阪府箕面市船場西2-1-11 箕面船場センタービル受動喫煙対策:屋内全面禁煙変更の範...
- 最寄駅
箕面船場阪大前駅、箕面萱野駅、千里中央駅(北大阪急行)
- 給与
<予定年収>650万円~1,400万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):6,000,000円~13,0...
- 事業
■会社概要:半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及び有機EL Displ...
- 仕事
【"2021年半導体売上世界1"サムスン電子の日本法人/潤沢な研究開発費用/自由な研究風土/最先端の研究】 適性に応じ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>大阪拠点住所:大阪府箕面市船場西2-1-11 箕面船場センタービル受動喫煙対策:屋内全面禁煙変更の範...
- 最寄駅
箕面船場阪大前駅、箕面萱野駅、千里中央駅(北大阪急行)
- 給与
<予定年収>650万円~1,400万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):6,000,000円~13,0...
- 事業
■会社概要:半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及び有機EL Displ...
株式会社D-process
【東京・赤羽/未経験歓迎】接合・CAMPエンジニア ※受託開発・加工シェアトップクラス/転勤なし
- 仕事
【★職種未経験から半導体製造に携われる★電子デバイス受託開発・加工シェアトップクラス/国内唯一無二の技術力を保有するニッ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>赤羽工場住所:東京都北区浮間1-2-27 勤務地最寄駅:埼京線/北赤羽駅受動喫煙対策:屋内全面禁煙
- 最寄駅
北赤羽駅、赤羽岩淵駅、赤羽駅
- 給与
<予定年収>360万円~600万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):3,600,000円~6,000,...
- 事業
■事業概要:電子デバイス製造工程における基板の接合・CMP・めっき・洗浄などの受託開発・受託加工・受託製造企業です...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!世界中のスペシャリストと
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
◇◆世界売上高83億ドルを誇るグローバル半導体メーカー/年休125日/引っ越し手当支給や家賃補助など充実◆◇ ■業務概要
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>オン・セミコンダクター会津株式会社住所:福島県会津若松市門田町工業団地6 勤務地最寄駅:R磐越西線/...
- 最寄駅
南若松駅、会津本郷駅、西若松駅
- 給与
<予定年収>1,080万円~1,320万円<賃金形態>年俸制16分割<賃金内訳>年額(基本給):10,800,00...
- 事業
■企業概要同社は会津若松の地で約50年の歴史を有しています。2018年10月にオン・セミコンダクター、会津富士通セ...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!世界中のスペシャリストと
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
LGイノテック株式会社
【東京都中央区】FCBGA用グラスコア開発エンジニア◆LGグループ
- 仕事
■従事すべき業務の変更の範囲:会社が定める業務 ■業務内容: -FC BGA用Glass Core基板の核心工程技術開
- 対象
学歴不問
- 勤務地
<勤務地詳細>日本支社住所:東京都中央区京橋2-1-3 京橋トラストタワー12F勤務地最寄駅:銀座線/京橋駅受動喫...
- 最寄駅
京橋駅(東京都)、宝町駅(東京都)、東京駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,000万円<賃金形態>年俸制決まった年俸を12分割して支給<賃金内訳>年額(基本給):...
- 事業
■事業内容:LGイノテックは1970年に設立された大韓民国初の総合電子部品企業で、絶え間ない技術開発とプロセス革新...
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