- 仕事
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
半導体メーカー、デバイス開発(パワー半導体)、女性活躍 の転職・求人検索結果
半導体メーカー、デバイス開発(パワー半導体)、女性活躍の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数5件中1~5件を表示
- 仕事
【大手企業案件や上流工程案件など当社ならではの案件が豊富!自身の思い描くキャリアへの第一歩目となる求人です!積極的なご応
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>長崎県諫早市住所:長崎県諫早市 受動喫煙対策:屋内全面禁煙
- 給与
<予定年収>330万円~725万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):230,000円~400,000円...
- 事業
上場企業を主体とする研究開発、情報、技術、製造分野の総合コンサルティング、人事コンサルティングおよびアウトソーシン...
- 仕事
【日本を代表する半導体メーカーにて、業界経験を活かしませんか/年休125日・年次有給休暇23日付与・フレックスタイム制・
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>武蔵事業所住所:東京都小平市上水本町5-20-1 勤務地最寄駅:JR中央線/国分寺駅受動喫煙対策:...
- 最寄駅
一橋学園駅、倉賀野駅、勝田駅、恋ケ窪駅、高崎問屋町駅、工機前駅、国分寺駅、金上駅
- 給与
<予定年収>500万円~1,000万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):290,000円~600,00...
- 事業
■事業概要:同社は2010年4月、NECエレクトロニクス社とルネサステクノロジ社(日立製作所と三菱電機の半導体部門...
- 仕事
■業務内容: 新規の製品開発に対しProcess ModuleとFlowの構築の為、 試作検討を実施し製品完成度・歩留
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>長崎県諫早市(テクノ事業部)住所:長崎県諫早市 受動喫煙対策:屋内全面禁煙
- 給与
<予定年収>400万円~725万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):230,000円~400,000円...
- 事業
上場企業を主体とする研究開発、情報、技術、製造分野の総合コンサルティング、人事コンサルティングおよびアウトソーシン...
- 仕事
【世界大手「ヘレウス社」×国内大手「信越化学工業」の合弁会社/最先端の技術力/年休122日(土日祝)/残業20h程度/平
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>郡山工場住所:福島県郡山市田村町金屋字川久保88 勤務地最寄駅:東北新幹線線/郡山駅受動喫煙対策:屋...
- 最寄駅
郡山駅(福島県)、安積永盛駅
- 給与
<予定年収>490万円~700万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):350,000円~500,000円...
- 事業
【当社について】当社は、信越化学工業株式会社と世界有数の石英ガラスメーカーであるドイツのヘラウス社との合弁会社とし...
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