～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

世界的大手×国内トップの合弁環境／半導体製造を支える石英ガラス技術／ユーザー要望起点の開発／試作～評価一貫関与／技術営業

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞■郡山工場住所：福島県郡山市田村町金屋字川久保88 勤務地最寄駅：東北新幹線線／郡山駅受動喫煙対策：...

郡山駅(福島県)、安積永盛駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：350,000円～500,000円...

【当社について】当社は、信越化学工業株式会社と世界有数の石英ガラスメーカーであるドイツのヘラウス社との合弁会社とし...

～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～半導体×政府と主要企業がバックアップする国家プロジェクト／人員強化のための増員募集～ 【業務内容】 Chip設計に関

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細1＞本社住所：東京都千代田区麹町4-1 麹町ダイヤモンドビル 11階勤務地最寄駅：東京メトロ有楽町線／...

麹町駅、半蔵門駅、永田町駅

＜予定年収＞600万円～800万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：6,000,000円～8,000,...

■事業内容： （１）半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売（２）環境に配慮した省エネルギ...