- 仕事
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
半導体メーカー、デバイス開発（メモリ）、女性活躍 の転職・求人検索結果
半導体メーカー、デバイス開発（メモリ）、女性活躍の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1～4件を表示
- 仕事
半導体×政府と主要企業がバックアップする国家プロジェクト／人員強化のための増員募集～ 【業務内容】 2nmプロセス及び
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細1＞北海道千歳市住所：北海道千歳市 受動喫煙対策：屋内全面禁煙＜勤務地詳細2＞米IBM社住所：アメリカ...
- 給与
＜予定年収＞600万円～800万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：6,000,000円～8,000,...
- 事業
■事業内容： （１）半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売（２）環境に配慮した省エネルギ...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
