- 仕事
～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
半導体メーカー、京都市西京区（京都府）、設立2～10年 の転職・求人検索結果
半導体メーカー、京都市西京区（京都府）、設立2～10年の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1～4件を表示
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～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
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桂駅、上桂駅、洛西口駅
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＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★スキルアップできる環境です！／年休120日／業界先端のパワーデ
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...
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■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／国内外工場のプロセス管理をお任せします！／転勤無／年休120
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
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桂駅、上桂駅、洛西口駅
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＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：3,809,532円～7,61...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
