- 仕事
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
半導体メーカー、京都市西京区(京都府)、年収900万円~ の転職・求人検索結果
半導体メーカー、京都市西京区(京都府)、年収900万円~の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数5件中1~5件を表示
- 仕事
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★スキルアップできる環境です!/年休120日/業界先端のパワーデ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~10,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/国内外工場のプロセス管理をお任せします!/転勤無/年休120
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):3,809,532円~7,61...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
■業務内容: 将来のビジネスのための要素技術を開発する部署にて、半導体プロセス用コンポーネントや装置の開発設計をご担当い
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>本社住所:京都府京都市南区上鳥羽鉾立町11-5 勤務地最寄駅:近鉄京都線/十条駅受動喫煙対策:敷地...
- 最寄駅
十条駅(京都市営)、上桂駅、十条駅(京都府・近鉄線)、桂駅、上鳥羽口駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>400万円~800万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):205,000円~352,000円...
- 事業
~世の中に不可欠な流体制御機器において「世界トップシェア」。独創的な技術で世界初を次々と生み出してきた京都発、精密...