【次世代技術開発／新しい記録方式のHDD開発／生成AI導入／グローバルな視点での業務／理工系知識を活かせる／社外パートナ

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞横浜事業所住所：神奈川県横浜市磯子区新杉田町8 勤務地最寄駅：京浜東北線線／新杉田駅受動喫煙対策：屋...

新杉田駅、杉田駅(神奈川県)、南部市場駅

＜予定年収＞450万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：210,000円～600,00...

■事業内容：ディスクリート半導体、システムデバイス、HDD及び関連製品の開発・生産・販売事業並びにその関連事業（1...

～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

【プログラム格納用メモリ世界／台湾株式取引市場上場／グローバルにおいて2,000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程

学歴不問

＜勤務地詳細＞台湾工場住所：No. 8, Keya 1st Rd.,Daya Dist., Taichung Ci...

＜予定年収＞1,000万円～2,500万円＜賃金形態＞年俸制補足事項なし＜賃金内訳＞年額（基本給）：3,600,0...

■企業概要：NORフラッシュメモリ分野でトップクラスのシェアを有するWinbond Electronics社（台湾...

【振動工学の知見をお持ちの方へ／最先端技術開発／耐衝撃性・高信頼性・低消費電力の機構設計／次世代HDD開発に携わる／デー

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細＞横浜事業所住所：神奈川県横浜市磯子区新杉田町8 勤務地最寄駅：京浜東北線線／新杉田駅受動喫煙対策：屋...

新杉田駅、杉田駅(神奈川県)、南部市場駅

＜予定年収＞450万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：210,000円～600,00...

■事業内容：ディスクリート半導体、システムデバイス、HDD及び関連製品の開発・生産・販売事業並びにその関連事業（1...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業/2,000億円の売上／離職率3%／残業月2

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12 新横浜スクエアビル9F勤務地最寄駅：JR線／新横...

新横浜駅、北新横浜駅、岸根公園駅

＜予定年収＞600万円～1,200万円＜賃金形態＞年俸制補足事項なし＜賃金内訳＞年額（基本給）：6,000,000...

■企業概要：NORフラッシュメモリ分野でトップクラスのシェアを有するWinbond Electronics社（台湾...