～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

半導体×政府と主要企業がバックアップする国家プロジェクト／人員強化のための増員募集～ 【業務内容】 2nmプロセス及び

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細1＞北海道千歳市住所：北海道千歳市 受動喫煙対策：屋内全面禁煙＜勤務地詳細2＞米IBM社住所：アメリカ...

＜予定年収＞600万円～800万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：6,000,000円～8,000,...

■事業内容： （１）半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売（２）環境に配慮した省エネルギ...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～物理、機械、電気、半導体、MEMS、シミュレーションなどの幅広い分野を活かせる／東証プライム上場・24年度売上4.5兆

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細＞矢向事業所住所：神奈川県川崎市幸区塚越3-451 勤務地最寄駅：JR南武線／矢向駅受動喫煙対策：屋内...

矢向駅、鹿島田駅、新川崎駅

＜予定年収＞450万円～870万円＜賃金形態＞月給制補足事項無し＜賃金内訳＞月額（基本給）：250,000円～54...

◆企業概要：同社は、創業80年超／連結売上高4兆円／連結従業員数約20万人の東証一部上場の大手優良メーカーです。米...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...