～半導体真空皮膜領域で最先端技術を持ちトップクラスシェアを誇るニッチトップ級メーカー～ ■職務の目的： ・事業部の新規

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：横浜市西区みなとみらい４－３－５ 勤務地最寄駅：JR、京浜急行線／横浜駅受動喫煙対策：屋内...

＜予定年収＞800万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：500,000円～660,00...

■事業内容： 真空薄膜形成装置ならびに各種キーコンポーネンツの研究、開発、設計、製造、販売、技術サービスを提供して...

～半導体真空皮膜領域で最先端技術を持ちトップクラスシェアを誇るニッチトップ級メーカー～ ■職務の目的： ・事業部の新規

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞鶴岡工場住所：山形県鶴岡市宝田1-19-71 勤務地最寄駅：JR羽越本線／鶴岡駅受動喫煙対策：屋内喫...

鶴岡駅

＜予定年収＞720万円～900万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：450,000円～562,500円...

■事業内容： 真空薄膜形成装置ならびに各種キーコンポーネンツの研究、開発、設計、製造、販売、技術サービスを提供して...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリスト技

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～業界経験不問／日勤のみ／転勤無し／残業月20時間程度～ ■採用背景： 2025年春に新工場FAB4の施工が進んでいる

学歴不問

＜勤務地詳細1＞Fab2（自社工場）住所：熊本県合志市福原1-44 受動喫煙対策：屋内全面禁煙＜勤務地詳細2＞Fa...

原水駅、肥後大津駅、三里木駅

＜予定年収＞513万円～675万円＜賃金形態＞日給月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：380,000円～500,00...

■事業内容： ・製造装置、精密機械の企画開発から製造販売　・組込みIoTシステム及び周辺機器の企画開発から製造販売...

【シリコンバレー発「フラッシュメモリ」の開発の老舗企業／半導体企業である当社のメモリ製品は世界シェア上位／家賃補助有／自

学歴不問

＜勤務地詳細＞北上工場住所：岩手県北上市北工業団地6番6号 勤務地最寄駅：JR線／北上駅受動喫煙対策：屋内全面禁煙

村崎野駅、柳原駅(岩手県)

＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制※12分の1が月々支給されます。＜賃金内訳＞年額（基本給）...

◆企業概要：同社は世界シェアトップクラスのデータストレージカンパニーです。スマートフォンやSDカードに使われている...

■業務内容：光半導体の量産工場におけるプロセス開発業務を担当して頂きます。 ■詳細：下記いずれかの業務を担当して頂きま

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府宇治市槙島町十一161 ２Ｆ勤務地最寄駅：近鉄京都線／向島駅受動喫煙対策：屋内全面禁...

向島駅、小倉駅(京都府)、ＪＲ小倉駅

＜予定年収＞426万円～600万円＜賃金形態＞年俸制残業代は別途支給＜賃金内訳＞年額（基本給）：2,986,800...

1973年の設立以来、独自の光半導体技術を用いて多くの独創的な製品を開発してきた光半導体の専業メーカーです。今後も...

【マスク描画装置世界シェア90％超／海外売上高比率80％／年休125日／フォロー体制◎】 ■業務内容：【職務内容変更の

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：神奈川県横浜市磯子区新杉田町8-1 勤務地最寄駅：JR京浜東北根岸線／新杉田駅受動喫煙対策...

新杉田駅、杉田駅(神奈川県)、南部市場駅

＜予定年収＞1,070万円～1,500万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：570,000円～760,...

■企業概要：世界トップクラスのシェアを有する最先端半導体装置メーカーであり、グローバルニッチトップ企業です。（東芝...

～スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ！電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～５０代活躍中／単身赴任手当・月3回単身帰省費・寮費・水道光熱費無料・などの福利厚生～ <魅力ポイント＞ ◎直近5年経

学歴不問

＜勤務地詳細＞小浜工場住所：福井県小浜市野代4号土渕31-2 勤務地最寄駅：JR小浜線／小浜駅受動喫煙対策：屋内全...

小浜駅、東小浜駅、勢浜駅

＜予定年収＞730万円～870万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：410,000円～49...

■事業内容： 電子部品の製造、ならびに販売。

～世界基準の半導体を扱う当社で、あなたらしく活躍してみませんか？～ ■業務概要： 半導体後工程プロセスエンジニアとして

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：山形県東置賜郡高畠町入生田1863 勤務地最寄駅：JR各線／高畠駅受動喫煙対策：屋内全面禁...

高畠駅、置賜駅

＜予定年収＞795万円～870万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：530,000円～58...

■事業内容詳細：OSAT（半導体の後工程受託事業）において、世界ナンバー1*のASEグループの日本拠点として、世界...

～世界基準の半導体を扱う当社で、あなたらしく活躍してみませんか？～ ■業務概要： 半導体製品の品質の作り込みを担う工程

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：山形県東置賜郡高畠町入生田1863 勤務地最寄駅：JR各線／高畠駅受動喫煙対策：屋内全面禁...

高畠駅、置賜駅

＜予定年収＞795万円～870万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：530,000円～58...

■事業内容詳細：OSAT（半導体の後工程受託事業）において、世界ナンバー1*のASEグループの日本拠点として、世界...

～世界基準の半導体を扱う当社で、あなたらしく活躍してみませんか？～ ■業務概要： 半導体後工程専業メーカー世界1位AS

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：山形県東置賜郡高畠町入生田1863 勤務地最寄駅：JR各線／高畠駅受動喫煙対策：屋内全面禁...

高畠駅、置賜駅

＜予定年収＞795万円～870万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：530,000円～58...

■事業内容詳細：OSAT（半導体の後工程受託事業）において、世界ナンバー1*のASEグループの日本拠点として、世界...