- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!業界先端のパワーデバイス
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
メーカー(機械・電気)業界、京都市西京区(京都府)、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果
メーカー(機械・電気)業界、京都市西京区(京都府)、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど)メーカー、機械部品・金型メーカー、家電・モバイル・ネットワーク機器・複写機・プリンタメーカーなど、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数7件中1~7件を表示
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ!電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
?募集背景 2025年10月1日よりeSOLグループの一員となったことから、管理部門の体制強化を行い親会社のeSOLとの
- 対象
<最終学歴>大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区大枝中山町2-44 受動喫煙対策:敷地内全面禁煙変更の範囲:会社の定める事業所
- 最寄駅
洛西口駅、桂駅、上桂駅
- 給与
<予定年収>600万円~800万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):500,000円~600,000円...
- 事業
■事業内容: ⇒事業概要とその詳細について詳しく記載。また、ビジネスモデルに 関する記載も同項目にて記載。 ■ビ...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策:敷地内...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!世界中のスペシャリスト技
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策:敷地内...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~国内外からの出資企業多数!量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~1,000万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~10,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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人気求人ランキング
dodaに掲載中の求人を、応募数順にランキング形式でご紹介します。
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更新日:2026/7/14(火)
更新日:2026/6/26(金)
更新日:2026/7/6(月)
更新日:2026/7/7(火)
※求人応募数の多い順にランキングしています(非公開求人は除く)。
※集計対象期間:2026/7/7(火)~2026/7/13(月)
※事情により掲載終了予定日よりも前に求人募集が終了していることもございます。その場合は当サイトから応募はできませんので、あらかじめご了承ください。
更新日:2026/5/16(土)
更新日:2026/6/25(木)
更新日:2026/6/4(木)
※求人応募数の多い順にランキングしています(非公開求人は除く)。
※集計対象期間:2026/7/7(火)~2026/7/13(月)
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