この求人のキーワード:デバイス開発、デバイス、Si、FET、ウェハ
- 仕事
パワーデバイス材料の研究、デバイス開発を担当頂きます。 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>先端技術研究所住所:愛知県日進市米野木町南山500-1 勤務地最寄駅:名鉄豊田線/米野木駅受動喫煙...
- 最寄駅
米野木駅、猿投駅、黒笹駅、日進駅(愛知県)
- 給与
<予定年収>550万円~1,250万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):280,000円~640,00...
- 事業
~世界トップレベル・国内最大手の自動車部品システムサプライヤー~■未来への思い「環境」「安心」領域での価値創造を通...