- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!SiC、GaN などのパ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策:敷地...
- 最寄駅
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
- 給与
<予定年収>700万円~1,200万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~12,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
デバイス開発(パワー半導体)、新着、女性活躍 の転職・求人検索結果
デバイス開発(パワー半導体)、新着、女性活躍の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数3件中1~3件を表示
- 仕事
【プライム上場/年休120日以上/月残業18時間/有給取得率74%/男性の育児・看護休暇も運用実績あり】 ■業務内容:
- 対象
学歴不問
- 勤務地
<勤務地詳細>栃木県内のお客様先住所:栃木県 ご経験・希望勤務地に応じて配属先を決定します 受動喫煙対策:屋内全面...
- 給与
<予定年収>400万円~700万円<賃金形態>月給制補足事項なし<賃金内訳>月額(基本給):230,000円~43...
- 事業
東証プライム市場上場 | 定着率95.4% | 教育体制充実◎ | オーダーメイドのキャリア支援体制あり◎| 育...
- 仕事
【時代に即した技術を身に着ける×自分の好きなモノづくりを突き詰める×自分に合ったキャリアを自分で選択できる×1人1人がプ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>顧客先(宮城)住所:宮城県 受動喫煙対策:屋内全面禁煙
- 給与
<予定年収>560万円~900万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):270,000円その他固定手当/月...
- 事業
■事業内容:エンジニアリングソリューション事業(機械設計、電気・電子設計、ソフトウェア開発、ケミカルエンジニアリン...
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人気求人ランキング
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更新日:2026/9/3(木)
更新日:2026/8/27(木)
更新日:2026/6/16(火)
更新日:2026/8/31(月)
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※集計対象期間:2026/8/27(木)~2026/9/2(水)
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更新日:2026/8/4(火)
更新日:2026/7/30(木)
更新日:2026/9/2(水)
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