- 仕事
■業務内容:CMOSイメージセンサーのウェーハデバイス開発に携わっていただきます。開発と歩留・特性改善業務、試作開発・評
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>長崎県顧客先住所:長崎県内の顧客先を想定 受動喫煙対策:屋内全面禁煙<勤務地詳細2>熊本県顧客先住...
- 給与
<予定年収>400万円~600万円<賃金形態>月給制特記事項なし<賃金内訳>月額(基本給):270,000円~35...
- 事業
■事業内容:ITソリューション事業:自治体、学校、図書館、医療、製造、流通、サービス、情報通信、金融など、様々な分...
デバイス開発(パワー半導体)、第二新卒歓迎、締め切間近 の転職・求人検索結果
デバイス開発(パワー半導体)、第二新卒歓迎、締め切間近の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1~4件を表示
- 仕事
~半導体エンジニア経験者歓迎/様々な案件を経験してスキルアップしたい方必見/自分のキャリアの方向を見つけたい方歓迎/案件
- 対象
学歴不問
- 勤務地
<勤務地詳細>案件の中で勤務地考慮致します住所:東京都 受動喫煙対策:屋内全面禁煙変更の範囲:会社の定める事業所(...
- 給与
<予定年収>400万円~600万円<賃金形態>月給制年齢や経験・スキルなどを考慮し、決定します。<賃金内訳>月額(...
- 事業
■事業内容: ・人材(エンジニア)派遣事業・人材紹介事業・業務請負事業・外国人採用支援■ビジョン:「社員が働きたい...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
<大学時代の研究経験を活かして研究職にチャレンジしたい方へ/充実の研修制度で研究ブランクのある方もしっかりサポート/コア
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>【関東】希望勤務地を考慮しながら決定いたします。住所:東京都、神奈川県、埼玉県、千葉県、茨城県、群馬...
- 給与
<予定年収>350万円~500万円<賃金形態>月給制補足事項なし<賃金内訳>月額(基本給):200,000円~25...
- 事業
上場企業を主体とする研究開発、情報、技術、製造分野の総合コンサルティング、人事コンサルティングおよびアウトソーシン...
