- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
デバイス開発（パワー半導体）、第二新卒歓迎、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果
デバイス開発（パワー半導体）、第二新卒歓迎、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数6件中1～6件を表示
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
【世界大手「ヘレウス社」×国内大手「信越化学工業」の合弁会社／最先端の技術力／年休122日（土日祝）／残業20h程度／平
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞郡山工場住所：福島県郡山市田村町金屋字川久保88 勤務地最寄駅：東北新幹線線／郡山駅受動喫煙対策：屋...
- 最寄駅
郡山駅(福島県)、安積永盛駅
- 給与
＜予定年収＞490万円～700万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：350,000円～500,000円...
- 事業
【当社について】当社は、信越化学工業株式会社と世界有数の石英ガラスメーカーであるドイツのヘラウス社との合弁会社とし...
- 仕事
◆◇弊社の顧客である上場半導体メーカーの製造工場にて勤務する、成膜装置の保守業務チームの募集です◇◆ ■業務内容： 対象
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞三重県四日市市半導体製造工場住所：三重県四日市市山之一色町800 受動喫煙対策：屋内全面禁煙変更の範...
- 最寄駅
平津駅、暁学園前駅、大矢知駅
- 給与
＜予定年収＞480万円～840万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：400,000円～70...
- 事業
■事業内容： 当社BOWは「Bridge to One World」の頭文字を取って命名しました。我々は「世界をひ...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
