- 仕事
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
デバイス開発(パワー半導体)、女性活躍、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果
デバイス開発(パワー半導体)、女性活躍、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数3件中1~3件を表示
- 仕事
【技術者としての長期的なキャリア形成を考えている方へ/大手メーカーで技術を磨ける/家族手当や福利厚生充実】 株式会社ア
- 対象
学歴不問
- 勤務地
<勤務地詳細1>顧客先住所:北海道千歳市 勤務地最寄駅:南千歳駅受動喫煙対策:屋内全面禁煙<勤務地詳細2>札幌支店...
- 最寄駅
札幌駅、さっぽろ駅、大通駅
- 給与
<予定年収>570万円~880万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):350,000円~540,000円...
- 事業
■事業内容:主に下記事業を展開し、IT、モノづくりをキーワードに多方面からアプローチしています。(1)R&Dに特化...
- 仕事
【世界大手「ヘレウス社」×国内大手「信越化学工業」の合弁会社/最先端の技術力/年休122日(土日祝)/残業20h程度/平
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>郡山工場住所:福島県郡山市田村町金屋字川久保88 勤務地最寄駅:東北新幹線線/郡山駅受動喫煙対策:屋...
- 最寄駅
郡山駅(福島県)、安積永盛駅
- 給与
<予定年収>490万円~700万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):350,000円~500,000円...
- 事業
【当社について】当社は、信越化学工業株式会社と世界有数の石英ガラスメーカーであるドイツのヘラウス社との合弁会社とし...
- 1
エージェントサービスに申し込む(無料)
サイトに掲載されていない非公開求人を見るにはエージェントサービスに申し込みが必要です