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デバイス開発(パワー半導体)、年間休日120日以上、原則定時退社 の転職・求人検索結果

デバイス開発(パワー半導体)、年間休日120日以上、原則定時退社の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。

該当求人数5件中1~5を表示

  • 仕事

    【残業月平均10h/未経験でも安心の研修体制あり】最新の分析装置を使って試作品や材料を調べます

  • 対象

    【完全未経験歓迎】土日勤務や夜勤を含むシフト制勤務に対応できる方/製造業やライン作業の経験がある方

  • 勤務地

    本社(神奈川県厚木市長谷398番地)での勤務になります。※転勤はありません◎マイカー・バイク・自転車通勤OK(規定あり)

  • 最寄駅

    愛甲石田駅

  • 給与

    <契約社員>596万円(月給40万円+賞与58万円×2回)

  • 事業

    結晶性酸化物半導体を用いたトランジスタや半導体デバイスの研究開発、液晶、ELやバッテリー用途などの材料や素子の研究...

研究開発に特化した当社で、

未経験から「研究補助員」として活躍しませんか?

結晶性酸化物半導体を用いたトランジスタや集積回路、有機ELやバッテリーの研究開発に特化した、世界でも非常に珍しい形態の当社。最先端の研究開発を前進させるためには、研究者を支える“研究補助”の存在が欠かせません。今回募集するのは、酸化物半導体の研究開発部門において、...

株式会社半導体エネルギー研究所 研究開発に特化した当社で働く研究補助スタッフ/未経験大歓迎

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  • 仕事

    ~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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  • 仕事

    ~「デンソー×トヨタ」を主要株主に持つ大手自動車部品メーカー!/品質部門における管理職採用!/電子部品の品質確保がミッシ

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>中津川製作所住所:岐阜県中津川市苗木2110番地 勤務地最寄駅:中央本線/中津川駅受動喫煙対策:屋内...

  • 最寄駅

    中津川駅、落合川駅

  • 給与

    <予定年収>1,100万円~1,300万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):600,000円~800,...

  • 事業

    ■企業概要:1983年に車載用CDプレイヤーを世界初で開発したことを皮切りに、Audio・Visual・Navig...

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  • 仕事

    ~国内外からの出資企業多数!量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>500万円~1,000万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~10,0...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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  • 仕事

    ~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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