- 仕事
～NTTが掲げる、最先端の光技術を使って豊かな社会を創るIOWN（アイオン）構想～ ■本ポジションの分野： NTTデバ
- 対象
学歴不問
- 勤務地
＜勤務地詳細1＞NTT 武蔵野研究開発センタ住所：東京都武蔵野市緑町3-9-11 勤務地最寄駅：JR中央線／三鷹駅...
- 最寄駅
東伏見駅、高輪ゲートウェイ駅、武蔵関駅、品川駅、西武柳沢駅、泉岳寺駅
- 給与
＜予定年収＞600万円～1,200万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：400,000円～800,00...
- 事業
■事業内容： （1）総合ICT事業：携帯電話事業、国内電気通信事業における県間通信サービス、国際通信事業、ソリュー...
デバイス開発（パワー半導体）、年間休日120日以上、原則定時退社 の転職・求人検索結果
デバイス開発（パワー半導体）、年間休日120日以上、原則定時退社の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数5件中1～5件を表示
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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