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デバイス開発(パワー半導体)、土日祝休み、原則定時退社 の転職・求人検索結果

デバイス開発(パワー半導体)、土日祝休み、原則定時退社の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。

該当求人数8件中1~8を表示

  • 仕事

    【残業月平均10h/未経験でも安心の研修体制あり】最新の分析装置を使って試作品や材料を調べます

  • 対象

    XPS・TEM/STEMといった分析経験がある方 もしくは 分析や評価業務に興味がある方

  • 勤務地

    本社(神奈川県厚木市長谷398番地)での勤務になります。※転勤はありません◎マイカー・バイク・自転車通勤OK(規定あり)

  • 最寄駅

    愛甲石田駅

  • 給与

    <契約社員>540万円(月給38万円+賞与42万円×2回)
    400万円(月給28万円+賞与32万円×2回)

  • 事業

    結晶性酸化物半導体を用いたトランジスタや半導体デバイスの研究開発、液晶、ELやバッテリー用途などの材料や素子の研究...

研究開発に特化した当社で、

未経験から「分析スタッフ」として活躍しませんか?

結晶性酸化物半導体を用いたトランジスタや集積回路、更に有機ELやバッテリーの研究開発に特化した世界でも大変珍しい形態である当社。研究開発を前進させるためには、試作品や材料の特性を正しく把握する「分析・解析」の仕事が欠かせません。今回募集するのは、電子顕微鏡や各種分...

株式会社半導体エネルギー研究所 研究開発に特化した当社で働く半導体・デバイスの分析スタッフ

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  • 仕事

    ~中途入社者活躍中/世界シェアトップクラスの製品多数保有~ ■業務内容: 高機能キーデバイスの製品開発から量産展開まで

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>東京サイト八王子住所:東京都八王子市石川町2970 勤務地最寄駅:JR八高線/北八王子駅受動喫煙対策...

  • 最寄駅

    北八王子駅、小宮駅、豊田駅

  • 給与

    <予定年収>520万円~830万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):300,000円~430,000円...

  • 事業

    ■企業概要:同社は「新しい価値の創造」という経営理念のもと、顧客や社会にとって価値のある、同社ならではの「新しい価...

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  • 仕事

    ~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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  • 仕事

    ~「デンソー×トヨタ」を主要株主に持つ大手自動車部品メーカー!/品質部門における管理職採用!/電子部品の品質確保がミッシ

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>中津川製作所住所:岐阜県中津川市苗木2110番地 勤務地最寄駅:中津川駅受動喫煙対策:屋内全面禁煙変...

  • 最寄駅

    中津川駅、落合川駅

  • 給与

    <予定年収>1,100万円~1,300万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):600,000円~800,...

  • 事業

    ■企業概要:1983年に車載用CDプレイヤーを世界初で開発したことを皮切りに、Audio・Visual・Navig...

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  • 仕事

    ~国内外からの出資企業多数!量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>500万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~11,0...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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  • 仕事

    ■募集背景: 成長戦略の中核を担う半導体技術の開発強化、革新技術開発を加速させるため、最先端の研究開発に携わり、未来の産

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>研究開発新棟「イノベーション・パレット」住所:神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 勤務地最寄駅:JR線/...

  • 最寄駅

    鹿島田駅、新川崎駅、矢向駅

  • 給与

    <予定年収>1,000万円~1,300万円<賃金形態>月給制補足事項なし<賃金内訳>月額(基本給):540,000...

  • 事業

    ■概要:社会インフラ、エネルギー、電子デバイス、デジタルソリューションなど、多様な事業領域でグローバルにビジネスを...

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  • 仕事

    ■募集背景: 成長戦略の中核を担う半導体技術の開発強化、革新技術開発を加速させるため、最先端の研究開発に携わり、未来の産

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>研究開発新棟「イノベーション・パレット」住所:神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 勤務地最寄駅:JR線/...

  • 最寄駅

    鹿島田駅、新川崎駅、矢向駅

  • 給与

    <予定年収>1,000万円~1,300万円<賃金形態>月給制補足事項なし<賃金内訳>月額(基本給):540,000...

  • 事業

    ■概要:社会インフラ、エネルギー、電子デバイス、デジタルソリューションなど、多様な事業領域でグローバルにビジネスを...

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  • 仕事

    ~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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