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デバイス開発(パワー半導体)、原則定時退社、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果

デバイス開発(パワー半導体)、原則定時退社、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。

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  • 仕事

    ~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策:敷...

  • 最寄駅

    桂駅、上桂駅、洛西口駅

  • 給与

    <予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...

  • 事業

    ■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

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  • 仕事

    ◎リサーチアドミニストレーターとは…研究者の伴走支援を行います。 調査分析や申請書の作成支援など業務は多岐にわたります◎

  • 対象

    <最終学歴>大学院、大学卒以上

  • 勤務地

    <勤務地詳細>東広島キャンパス住所:広島県東広島市鏡山1-3-2 受動喫煙対策:敷地内全面禁煙変更の範囲:本文参照

  • 最寄駅

    西条駅(広島県)、寺家駅、東広島駅

  • 給与

    <予定年収>550万円~771万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,503,000円~7,717,...

  • 事業

    ■事業内容: 「自由で平和な一つの大学」を建学の精神に掲げ、1949年に開学したのが広島大学です。本学は12学部、...

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