- 仕事
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
デバイス開発（パワー半導体）、原則定時退社、年収1000万円～ の転職・求人検索結果
デバイス開発（パワー半導体）、原則定時退社、年収1000万円～の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数3件中1～3件を表示
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～「デンソー×トヨタ」を主要株主に持つ大手自動車部品メーカー！／品質部門における管理職採用！／電子部品の品質確保がミッシ
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞中津川製作所住所：岐阜県中津川市苗木2110番地 勤務地最寄駅：中津川駅受動喫煙対策：屋内全面禁煙変...
- 最寄駅
中津川駅、落合川駅
- 給与
＜予定年収＞1,100万円～1,300万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：600,000円～800,...
- 事業
■企業概要：1983年に車載用CDプレイヤーを世界初で開発したことを皮切りに、Audio・Visual・Navig...
