- 仕事
■業務内容: 電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)の企画/開発/設計業務 ■業務
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>広瀬製作所住所:愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543 受動喫煙対策:屋内全面禁煙<勤務地詳細2>先端技...
- 最寄駅
猿投駅、米野木駅、黒笹駅、日進駅(愛知県)
- 給与
<予定年収>600万円~1,250万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):280,000円~640,00...
- 事業
~世界トップレベル・国内最大手の自動車部品システムサプライヤー~■未来への思い「環境」「安心」領域での価値創造を通...
2ページ:デバイス開発(パワー半導体)、社員の平均年齢40代 の転職・求人検索結果
デバイス開発(パワー半導体)、社員の平均年齢40代の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数53件中51~53件を表示
- 仕事
~技術とコンサルティング営業に強み/「人基軸経営」を実践「人」として成長できる環境/高い定着率◎/安定事業~ 電子部品
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:大阪府大阪市西区西本町1-13-25 勤務地最寄駅:地下鉄四つ橋線/本町駅受動喫煙対策:屋...
- 最寄駅
本町駅、阿波座駅、西大橋駅
- 給与
<予定年収>440万円~750万円<賃金形態>月給制補足事項なし<賃金内訳>月額(基本給):235,000円~39...
- 事業
■同社の特徴:同社は1921年、電気関係製品の卸売業と電気工事業を目的として創業、後に三菱電機株式会社の販売代理店...
- 仕事
◆◇三菱電機100%出資で関係性強固/パワーデバイス駆動用ICのテスト/大手グループならではの年休125日・想定残業20
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:福岡県福岡市西区今宿東1-1-1 三菱電機(株)パワーデバイス製作所構内勤務地最寄駅:JR...
- 最寄駅
今宿駅、九大学研都市駅、周船寺駅
- 給与
<予定年収>520万円~770万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):280,000円~450,000円...
- 事業
■事業内容:同社は、省資源・省エネルギー・省力化への寄与型製品であるパワーデバイス、超高速・大容量情報化社会の実現...
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