- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
2ページ：デバイス開発（半導体・太陽光・液晶・LEDなど）、正社員、転勤なし（勤務地限定） の転職・求人検索結果
デバイス開発（半導体・太陽光・液晶・LEDなど）、正社員、転勤なし（勤務地限定）の転職・求人検索結果です。デバイス開発（パワー半導体）、デバイス開発（LED・発光デバイス・光半導体）、デバイス開発（メモリ）など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数53件中51～53件を表示
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
◇◆男性育休取得率100%継続中／三菱電機Gr／世界中の通信・センシング技術の発展に貢献／有給取得平均取得率95％（20
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：長崎県諫早市高来町東平原970 勤務地最寄駅：長崎本線／湯江駅受動喫煙対策：屋内全面禁煙
- 最寄駅
湯江駅、長里駅、小江駅
- 給与
＜予定年収＞467万円～561万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：286,000円～335,000円...
- 事業
■事業内容：三菱電機グループの一員として、高周波・光デバイス・赤外線センサの組立・検査工程の技術開発及び製造を担当...
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