- 仕事
【"2021年半導体売上世界1"サムスン電子の日本法人/潤沢な研究開発費用/自由な風土で最先端の研究に携わる】 ■採用背
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>大阪拠点住所:大阪府箕面市船場西2-1-11 箕面船場センタービル受動喫煙対策:屋内全面禁煙変更の範...
- 最寄駅
箕面船場阪大前駅、箕面萱野駅、千里中央駅(北大阪急行)
- 給与
<予定年収>650万円~1,400万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):6,000,000円~13,0...
- 事業
■会社概要:半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及び有機EL Displ...
2ページ:デバイス開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)、土日祝休み、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果
デバイス開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)、土日祝休み、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。デバイス開発(パワー半導体)、デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)、デバイス開発(メモリ)など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数56件中51~56件を表示
- 仕事
【"2021年半導体売上世界1"サムスン電子の日本法人/潤沢な研究開発費用/自由な風土で最先端の研究に携わる】 ■採用背
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、専修・各種学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>大阪拠点住所:大阪府箕面市船場西2-1-11 箕面船場センタービル受動喫煙対策:屋内全面禁煙変更の範...
- 最寄駅
箕面船場阪大前駅、箕面萱野駅、千里中央駅(北大阪急行)
- 給与
<予定年収>650万円~1,400万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):6,000,000円~13,0...
- 事業
■会社概要:半導体製品(Memory, System LSI, Foundry, LED)及び有機EL Displ...
- 仕事
■業務概要: 通信インフラ・通信機器の開発を行う中国の大手企業・ZTEの子会社である当社にて、LCOS技術開発をお任せい
- 対象
<最終学歴>大学院卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:千葉県千葉市美浜区中瀬2-6-1 ワールドビジネスガーデン マリブウェスト25階 A250...
- 最寄駅
海浜幕張駅、幕張豊砂駅、京成幕張駅
- 給与
<予定年収>900万円~1,200万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):9,000,000円~12,0...
- 事業
《当社について》■当社は通信装置世界シェアトップクラスであるZTEの100%出資の日本法人、最先端の光ファイバ用コ...
- 仕事
【スマートフォン、通信機器などを開発および生産する中国の通信メーカーZTEの日本法人/世界シェアトップクラス】 ~中国語
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:千葉県千葉市美浜区中瀬2-6-1 ワールドビジネスガーデン マリブウェスト25階 A250...
- 最寄駅
海浜幕張駅、幕張豊砂駅、京成幕張駅
- 給与
<予定年収>550万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,500,000円~7,000,...
- 事業
《当社について》■当社は通信装置世界シェアトップクラスであるZTEの100%出資の日本法人、最先端の光ファイバ用コ...
- 仕事
【サムスンの中核研究所で世界最先端の技術開発に携わりませんか?/次世代家電の開発/自身のアイディアを形にできる】 【業
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>大阪研究所( 箕面船場センタービル)住所:大阪府箕面市船場西2-1-11 箕面船場センタービル勤務地...
- 最寄駅
箕面船場阪大前駅、箕面萱野駅、千里中央駅(北大阪急行)
- 給与
<予定年収>600万円~1,500万円<賃金形態>月給制残業代・賞与別途支給<賃金内訳>月額(基本給):400,0...
- 事業
■事業内容:同社はサムスン電子(グループ)の世界マーケット拡大に向けた戦略的な研究開発拠点として、通信機器、OA機...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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