- 仕事
■業務内容：【変更の範囲：会社の定める業務】 ・パワーデバイスパッケージ関連のプロセス開発、検証、量産導入を担当する ・
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細1＞船橋ラボ住所：千葉県船橋市鈴身町488-19 勤務地最寄駅：北総線／小室駅受動喫煙対策：屋内喫煙可...
- 最寄駅
小室駅、白井駅、八千代緑が丘駅
- 給与
＜予定年収＞900万円～1,500万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：9,000,000円～15,0...
- 事業
■事業内容：同社は、中国のファーウェイ・テクノロジーズ（Huawei Technologies Co, Ltd）が...
海外、デバイス開発（パワー半導体）、年収1000万円～ の転職・求人検索結果
海外、デバイス開発（パワー半導体）、年収1000万円～の転職・求人検索結果です。など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数2件中1～2件を表示
- 仕事
■業務内容：【変更の範囲：会社の定める業務】 ・化合物半導体パワーデバイス設計、プロセス統合、プロセス開発及びプロジェク
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細1＞船橋ラボ住所：千葉県船橋市鈴身町488-19 勤務地最寄駅：北総線／小室駅受動喫煙対策：屋内喫煙可...
- 最寄駅
小室駅、白井駅、八千代緑が丘駅
- 給与
＜予定年収＞1,300万円～2,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：13,000,000円～2...
- 事業
■事業内容：同社は、中国のファーウェイ・テクノロジーズ（Huawei Technologies Co, Ltd）が...
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