～未経験歓迎／京都府内の区役所や市営専門学校の設備メンテナンス／将来的にスタッフの管理ポジションへのキャリアアップも可能

学歴不問（必須資格の受験条件に準じた学歴が必要）

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市右京区梅津尻溝町67-1 勤務地最寄駅：阪急嵐山線／松尾大社駅受動喫煙対策：敷...

松尾大社駅、上桂駅、有栖川駅

＜予定年収＞350万円～450万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：230,000円～300,000円...

■事業内容：〇エネルギープラント設備　（試運転／調整業務／運転・維持管理業務／工事／監督）…主に工場を正しく稼働さ...

～未経験歓迎／ガス式の非常用発電機の販売事業を通じて、日本中の災害に対する備えや、不安の軽減に貢献する当社にて、機械メン

学歴不問（必須資格の受験条件に準じた学歴が必要）

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市右京区梅津尻溝町67-1 勤務地最寄駅：阪急嵐山線／松尾大社駅受動喫煙対策：敷...

松尾大社駅、上桂駅、有栖川駅

＜予定年収＞350万円～450万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：230,000円～300,000円...

■事業内容：〇エネルギープラント設備　（試運転／調整業務／運転・維持管理業務／工事／監督）…主に工場を正しく稼働さ...

【業務内容】 当社はレーザーフュージョン商用炉の実現に向けた開発を行う、大阪大学発のディープテックスタートアップ企業です

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細1＞本社住所：大阪府吹田市山田丘2-8 大阪大学テクノアライアンスC棟C806受動喫煙対策：屋内全面禁...

阪大病院前駅、上桂駅、北千里駅、桂駅、豊川駅(大阪府)、洛西口駅

＜予定年収＞600万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：418,300円～697,22...

■事業内容： レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリスト技

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～自動車の根幹を支える製品／印刷業界から自動車業界迄幅広いニーズを持つ、ニッチトップ企業／土日休み～ ■業務内容： 材

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市右京区梅津西浦町14 勤務地最寄駅：阪急嵐山線／松尾大社駅受動喫煙対策：屋内全...

松尾大社駅、帷子ノ辻駅、上桂駅

＜予定年収＞450万円～650万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：210,000円～350,000円...

■事業内容：同社は1943年の創業の自動車関連部品、電子・情報機器部品、光通信機器部品のメーカーです。材料から加工...

■業務内容： 将来のビジネスのための要素技術を開発する部署にて、半導体プロセス用コンポーネントや装置の開発設計をご担当い

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市南区上鳥羽鉾立町11-5 勤務地最寄駅：近鉄京都線／十条駅受動喫煙対策：敷地...

十条駅(京都市営)、上桂駅、十条駅(京都府・近鉄線)、桂駅、上鳥羽口駅、洛西口駅

＜予定年収＞400万円～800万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：205,000円～352,000円...

～世の中に不可欠な流体制御機器において「世界トップシェア」。独創的な技術で世界初を次々と生み出してきた京都発、精密...

～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ！電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...