京都市西京区（京都府）、技術職（機械・電気）、設立2～10年の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
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【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日
～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化へ｜大手半導体メーカー出身者が集うプロ集団～ ＼次世代パワー半導
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策：敷地...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性）次世代SiC・GaNパワー半導体｜年休124日
～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化に向けた品質基準の構築まで｜転居費用負担制度あり～ ＼次世代パワ
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策：敷地...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ！電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリスト技
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策：敷地...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞700万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～10,0...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！SiC、GaN などのパ
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策：敷地...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞700万円～1,200万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～12,0...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化に向けた品質基準の構築まで｜転居費用負担制度あり～ ＼次世代パワ
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細1＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策：敷地...
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
＜予定年収＞700万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～10,0...
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
～大手自動車・航空宇宙・電子機器メーカー向け／レーザー加工システムの提案から導入・立上げまで一貫して担当／スタートアップ
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細＞京都桂拠点住所：京都府京都市西京区御陵大原１－３６ 受動喫煙対策：屋内全面禁煙変更の範囲：会社の定め...
上桂駅、桂駅、洛西口駅
＜予定年収＞600万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：369,942円～617,06...
■事業内容： レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...
～最先端レーザー技術の実証と社会実装を、自らの「実験・評価」で加速させる◎／モノづくりの手応えを感じられる／理系としての
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細＞京都桂拠点住所：京都府京都市西京区御陵大原１－３６ 受動喫煙対策：屋内全面禁煙変更の範囲：会社の定め...
上桂駅、桂駅、洛西口駅
＜予定年収＞600万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：369,942円～617,06...
■事業内容： レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...
～自動車、航空宇宙、半導体など大手メーカーが顧客／顧客の製造課題を、世界最高峰の「レーザー技術」で解決／レーザーの専門知
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細＞京都桂拠点住所：京都府京都市西京区御陵大原１－３６ 受動喫煙対策：屋内全面禁煙変更の範囲：会社の定め...
上桂駅、桂駅、洛西口駅
＜予定年収＞600万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：369,942円～617,06...
■事業内容： レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...
dodaに掲載中の求人を、応募数順にランキング形式でご紹介します。
※応募数が同数の場合は、新着順に表示しています。
更新日：2026/10/31（土）
※求人応募数の多い順にランキングしています（非公開求人は除く）。
※集計対象期間：2026/10/24（土）～2026/10/30（金）
※事情により掲載終了予定日よりも前に求人募集が終了していることもございます。その場合は当サイトから応募はできませんので、あらかじめご了承ください。
※求人応募数の多い順にランキングしています（非公開求人は除く）。
※集計対象期間：2026/10/24（土）～2026/10/30（金）
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