- 仕事
◆◇産業機械や電機機器などで使用されているあらゆる精密板金部品の加工/高い技術力に強み/一貫生産体制◇◆ ■職務概要:
- 対象
学歴不問
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区大枝南福西町2-18-1 勤務地最寄駅:烏丸線/竹田駅受動喫煙対策:屋内...
- 最寄駅
東向日駅、洛西口駅、向日町駅
- 給与
<予定年収>450万円~550万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):375,000円~458,000円...
- 事業
■事業内容: 当社は京都市南区に本社・工場を構える精密板金加工メーカーです。レーザー加工、タレパン加工、ベンダー加...
京都市西京区(京都府)、技術職(機械・電気)、従業員数11~100名 の転職・求人検索結果
京都市西京区(京都府)、技術職(機械・電気)、従業員数11~100名の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数8件中1~8件を表示
- 仕事
~国内外からの出資企業多数!量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~1,000万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~10,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!業界先端のパワーデバイス
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ!電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>500万円~700万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~7,000,...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
【募集背景】 当社レーザー加工事業部は、最先端のレーザー技術を駆使し、高精度な加工ソリューションを多岐にわたる産業へ提供
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>京都桂拠点住所:京都府京都市西京区御陵大原1-36 受動喫煙対策:屋内全面禁煙変更の範囲:会社の定め...
- 最寄駅
上桂駅、桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~900万円<賃金形態>月給制<賃金内訳>月額(基本給):432,092円~554,913円...
- 事業
■事業内容: レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN な
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策:敷地内...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!世界中のスペシャリスト技
- 対象
<最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策:敷地内...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
<予定年収>700万円~1,100万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~11,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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