タワーパートナーズセミコンダクター株式会社
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仕事
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半導体ドライエッチ技術開発・設備立ち上げ改善、低コスト化技術開発業務をご担当いただきます。
半導体製造工程を構成するには、いくつかの要素技術が必要です。成膜技術、リソグラフィ技術、洗浄技術などが並ぶ中、エッチング技術もそこに名を連ねており、当社は同技術のプロセス開発を重視しております。
そこで以下の各種ドライエッチング開発技術を用いて新たな半導体デバイスの早期開発・立ち上げをお願い致します。
1. ポリシリコンドライエッチ技術開発
2. シリコンドライエッチ技術開発
3. 酸化膜、窒化膜ドライエッチ技術開発
4. メタルドライエッチ技術開発
5. ウエットエッチ技術開発
【TOPIX】
エッチングされる物質として、最近はさまざまな種類の膜がありますが、基本的に4つに分類されています。
1.酸化膜系 (th-SiO2,PSG,BPSG,HTO,P-SiO2,P-TEOS,SOG等)
2.窒化膜系 (P-SiN,LP-SiN等)
3.シリコン系 (Si,Poly-Si,a-Si,WSi,MoSi,TiSi等)
4.メタル系 (Al,Al合金,TI,TiN,TiW, W ,Cu,Pt, Au等)
これらの膜を真空容器の中でイオンやラジカルを利用してエッチングします。
【POINT】
半導体デバイスの性能を最優先したプロセス技術を開発することはもちろん、原価、歩留まり率といったコストを考慮し、プロセスフローを構築することが重要です。目標とする歩留まりや納期を達成できるようにフローを工夫してください。
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給与
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年俸1,000万円~1,200万円(1/12を月々支給)
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勤務地
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富山県魚津市東山800番地【本社勤務】
※転居を伴う転勤なし
※マイカー通勤OK
【アクセス】
■あいの風鉄道「魚津駅」より車で10分
■JR「黒部宇奈月温泉駅」より車で15分