タワーパートナーズセミコンダクター株式会社の過去求人・中途採用情報

タワーパートナーズセミコンダクター株式会社の募集が終了した求人

次世代半導体プロセス開発エンジニア

契約社員
転勤なし

仕事内容

次世代半導体プロセス開発プロジェクト、半導体ドライエッチ技術開発に携わる
具体的な仕事内容
半導体ドライエッチ技術開発・設備立ち上げ改善、低コスト化技術開発業務をご担当いただきます。

半導体製造工程を構成するには、いくつかの要素技術が必要です。成膜技術、リソグラフィ技術、洗浄技術などが並ぶ中、エッチング技術もそこに名を連ねており、当社は同技術のプロセス開発を重視しております。
そこで以下の各種ドライエッチング開発技術を用いて新たな半導体デバイスの早期開発・立ち上げをお願い致します。

1. ポリシリコンドライエッチ技術開発
2. シリコンドライエッチ技術開発
3. 酸化膜、窒化膜ドライエッチ技術開発
4. メタルドライエッチ技術開発
5. ウエットエッチ技術開発

【TOPIX】
エッチングされる物質として、最近はさまざまな種類の膜がありますが、基本的に４つに分類されています。
　1．酸化膜系 (th-SiO2,PSG,BPSG,HTO,P-SiO2,P-TEOS,SOG等)
　2．窒化膜系 (P-SiN,LP-SiN等)
　3．シリコン系 (Si,Poly-Si,a-Si,WSi,MoSi,TiSi等)
　4．メタル系 (Al,Al合金,TI,TiN,TiW, W ,Cu,Pt, Au等)
これらの膜を真空容器の中でイオンやラジカルを利用してエッチングします。

【POINT】
半導体デバイスの性能を最優先したプロセス技術を開発することはもちろん、原価、歩留まり率といったコストを考慮し、プロセスフローを構築することが重要です。目標とする歩留まりや納期を達成できるようにフローを工夫してください。

チーム／組織構成
【就業環境】
◆平均勤続年数：27,3年
◆月平均時間外労働時間：9,3時間
◆平均有給取得日数：12,7日
◆育児休暇取得率：100％

■組織名称：技術開発プロジェクトチーム

その他製品・プロジェクト事例
【主なプロセス技術】
・高感度イメージセンサ(CISおよびCCD)
・パワーデバイス（BCD, SOI , LDMOS）
・高周波RFCMOSおよび化合物半導体（GaAs, GaN, SiC）

対象となる方

【専門卒以上】半導体業界で要素技術の開発経験がある方
下記のいずれかに該当する知識・経験をお持ちの方を求めています。

【必須条件】
■回路の最小線幅40nm以下のプロセス開発経験
■半導体全般・ドライエッチングに関する基礎知識
■測長SEM、断面SEM、膜厚測定器などの基礎知識
■操作技術を用いたプロセス開発経験
■真空装置、プラズマ設備に関する基礎知識
■設備ハードウエアについての基礎知識　など

勤務地

富山県魚津市東山800番地【本社勤務】

※転居を伴う転勤なし
※マイカー通勤OK

【アクセス】
■あいの風鉄道｢魚津駅｣より車で10分
■JR｢黒部宇奈月温泉駅｣より車で15分

勤務時間

8:30～17:15（所定労働時間8時間、休憩45分）

雇用形態

契約社員
※契約期間は、プロジェクト完了までの2年間

給与

年俸1,000万円～1,200万円（1/12を月々支給）

■入社時の想定年収
年収1000万円
～1,200万円

待遇・福利厚生・各種制度

【保険】
■社会保険完備（雇用・労災・健康・厚生年金）

【待遇】
■住居費補助
■残業手当(内勤者のみ)
■役職手当(部門責任者のみ)
■職務手当(営業者のみ)
【その他】
■財産形成制度
■確定拠出年金
■健保契約の保養所利用
■スポーツクラブ優待利用有り
■宿泊・レジャー施設等の割引制度あり

【社内検定制度】
■有電気計測管理検定
■機械計測管理検定
■モノづくり競技大会