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海外、デバイス開発(パワー半導体)、年収450万円~ の転職・求人検索結果
海外、デバイス開発(パワー半導体)、年収450万円~の転職・求人検索結果です。海外など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
- 正社員
- 仕事内容
- ■業務内容:【変更の範囲:会社の定める業務】 ・化合物半導体パワーデバイス設計、プロセス統合、プロセ
- 対象
- <最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
- <勤務地詳細1>船橋ラボ住所:千葉県船橋市鈴身町488-19 勤務地最寄駅:北総線/小室駅受動喫煙対策:屋内…
- 最寄り駅
- 小室駅、白井駅、八千代緑が丘駅
- 給与
- <予定年収>1,300万円~2,000万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):13,000,000円~20,000,0…
- 事業概要
- ■事業内容:同社は、中国のファーウェイ・テクノロジーズ(Huawei Technologies Co, Ltd)が100%出資する…
- 正社員
- 仕事内容
- ■業務内容:【変更の範囲:会社の定める業務】 ・パワーデバイスパッケージ関連のプロセス開発、検証、量
- 対象
- <最終学歴>大学院、大学卒以上
- 勤務地
- <勤務地詳細1>船橋ラボ住所:千葉県船橋市鈴身町488-19 勤務地最寄駅:北総線/小室駅受動喫煙対策:屋内…
- 最寄り駅
- 小室駅、白井駅、八千代緑が丘駅
- 給与
- <予定年収>900万円~1,500万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):9,000,000円~15,000,000…
- 事業概要
- ■事業内容:同社は、中国のファーウェイ・テクノロジーズ(Huawei Technologies Co, Ltd)が100%出資する…
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