中央区（東京都）、デバイス開発（パワー半導体）、年収450万円～の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数2件中1～2件を表示
【東京都中央区】FCBGA用グラスコア開発エンジニア◆LGグループ
■従事すべき業務の変更の範囲：会社が定める業務 ■業務内容： -FC BGA用Glass Core基板の核心工程技術開
学歴不問
＜勤務地詳細＞日本支社住所：東京都中央区京橋2-1-3 京橋トラストタワー12F勤務地最寄駅：銀座線／京橋駅受動喫...
京橋駅(東京都)、宝町駅(東京都)、東京駅
＜予定年収＞700万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制決まった年俸を12分割して支給＜賃金内訳＞年額（基本給）：...
■事業内容:1970年に設立された韓国初の総合電子部品専門企業です。 現在では世界市場をリードするグローバル素材・...
■職務内容 世界No.1空調機器メーカーである同社にて、空調機搭載用の独自の半導体モジュール設計開発をご担当いただきます
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜勤務地詳細＞東京支社住所：東京都中央区八重洲二丁目２番１号 東京ミッドタウン八重洲 八重洲セントラルタワー 38...
東京駅、京橋駅(東京都)、宝町駅(東京都)
＜予定年収＞500万円～900万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：255,000円～450,000円...
■事業内容：空調・冷凍機、化学、油機、特機、電子システム■事業の特徴：同社は「空調」「化学」「フィルタ」を柱に事業...
サイトに掲載されていない非公開求人を見るにはエージェントサービスに申し込みが必要です
