- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
半導体メーカー、デバイス開発（メモリ）、第二新卒歓迎 の転職・求人検索結果
半導体メーカー、デバイス開発（メモリ）、第二新卒歓迎の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1～4件を表示
- 仕事
～ユーザー側から製造装置の完成度向上に携わる／世界最大級の半導体スマートファクトリー／フレックスタイム制度・在宅勤務有～
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞四日市工場住所：三重県四日市市山之一色町800番地 勤務地最寄駅：近鉄線／富田駅受動喫煙対策：屋内全...
- 最寄駅
平津駅、暁学園前駅、大矢知駅
- 給与
＜予定年収＞550万円～1,210万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：271,000円～684,00...
- 事業
■事業内容： メモリ及び関連製品の開発・製造・販売事業及びその関連事業■市場展望：フラッシュメモリは、IoTなどあ...
- 仕事
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
