半導体・IC(その他IC)-回路設計 の転職・求人検索結果

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  • 正社員
  • 上場企業
仕事内容
HMIコントロールユニットやDisplay製品のハードウェア開発設計
対象
【学歴】大学院、大学、高等専門学校卒以上
勤務地
本社愛知県刈谷市昭和町1-1
給与
【予定年収】400万円〜1,000万円(残業手当:有)月給:206,000円〜430,000円賃金形態:月給制昇給有無:有予…
事業内容
〜世界トップクラスレベル・国内大手の自動車部品システムサプライヤー〜■事業内容:自動車システム製品(…
  • 正社員
仕事内容
回路設計/近畿圏メインでの就業
対象
【学歴】大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上
勤務地
滋賀県、京都府、大阪府、兵庫県、奈良県、和歌山県大阪事業所大阪府大阪市北区梅田1-1-3 など
給与
【予定年収】400万円〜800万円【月給】266,000円〜533,000円予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を…
事業内容
プラスチック素材を中心とした製品デザイン・設計開発業務を行う“エンジニアリング企業”「技術派遣業務」…
  • 正社員
  • 上場企業
仕事内容
プロジェクターのSoC開発 〜長野県に"東洋のスイス"を創り上げた精密機器企業〜
対象
【学歴】大学院、大学、高等専門学校卒以上
勤務地
豊科事業所長野県安曇野市豊科田沢6925
給与
【予定年収】500万円〜【月給】235,000円〜月給は固定手当を含めた表記です。※上記年収はあくまで参考です…
事業内容
■会社概要:高画質で高品質な「プリンタ」や「液晶プロジェクター」を提供する業界トップクラスの優良企業…
  • 正社員
  • 上場企業
仕事内容
新規半導体デバイスの開発【京都】※売上1兆円、営業利益率20.5%
対象
【学歴】大学院、大学、高等専門学校卒以上
勤務地
本社京都府長岡京市東神足1-10-1
給与
【年収】375万円〜840万円【月給】月給:210,000円〜404,000円予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考…
事業内容
代表製品である積層セラミックコンデンサは世界トップクラスシェアを誇り、スマートフォンや携帯メディアプ…
  • 正社員
  • 上場企業
仕事内容
LSI開発環境の設計
対象
【学歴】大学院、大学卒以上
勤務地
本社京都府京都市右京区西院溝崎町21
給与
【予定年収】400万円〜750万円(残業手当:無)月給:190,000円〜400,000円(以下一律手当を含む)基本給:190,00…
事業内容
京都に本社を置くローム株式会社は、1958年に抵抗器メーカーとして事業をスタートしました。1969年には半導…
  • 正社員
仕事内容
【京都】センサ/LSI/FPGAのデジタル回路設計
対象
【学歴】大学院、大学、高等専門学校卒以上
勤務地
本社京都府長岡京市神足焼町1
給与
【年収】450万円〜650万円(残業手当:有)【月給】210,500円〜予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考…
事業内容
■企業概要:同社は、1997年に松下電器グループの「半導体設計開発会社」として設立されました。現在、シス…
  • 正社員
仕事内容
3D NANDの回路設計※特許で利益を生み出すユニークなビジネスモデル/開発に集中出来る環境です
対象
学歴不問
勤務地
本社神奈川県厚木市長谷398
給与
【予定年収】450万円〜800万円(残業手当:有)月給:375,000円〜600,000円基本給:375,000円〜600,000円賃金形…
事業内容
■事業内容: 結晶系薄膜集積回路、液晶ディスプレイおよびELディスプレイ、半導体薄膜トランジスタの研究…
  • 正社員
仕事内容
デザインIP向け回路設計※特許で利益を生み出すユニークなビジネスモデル/開発に集中出来る環境です
対象
学歴不問
勤務地
本社神奈川県厚木市長谷398
給与
【予定年収】450万円〜800万円(残業手当:有) 月給:375,000円〜600,000円基本給:375,000円〜600,000円賃金…
事業内容
■事業内容: 結晶系薄膜集積回路、液晶ディスプレイおよびELディスプレイ、半導体薄膜トランジスタの研究…
  • 正社員
仕事内容
AI用途のLSI回路設計※特許で利益を生み出すユニークなビジネスモデル/開発に集中出来る環境です
対象
学歴不問
勤務地
本社神奈川県厚木市長谷398
給与
【予定年収】450万円〜800万円(残業手当:有)月給:375,000円〜600,000円基本給:375,000円〜600,000円賃金形…
事業内容
■事業内容: 結晶系薄膜集積回路、液晶ディスプレイおよびELディスプレイ、半導体薄膜トランジスタの研究…
  • 正社員
  • 上場企業
仕事内容
【福岡】車載向けIGBT/RC-IGBT/Diodeのプロセス開発
対象
【学歴】大学院、大学卒以上
勤務地
パワーデバイス製作所福岡県福岡市西区今宿東1-1-1
給与
【予定年収】450万円〜800万円(残業手当:有)月給:230,000円〜賃金形態:月給製昇給有無:有予定年収はあく…
事業内容
■事業内容:エレクトロニクス、エネルギー、宇宙、通信、家電などあらゆる電気機器及びシステム技術の研究…
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