- 仕事
~国内外からの出資企業多数!量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務...
- 最寄駅
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
- 給与
<予定年収>500万円~1,000万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):5,000,000円~10,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
デバイス開発(メモリ)、女性活躍、固定給35万円以上 の転職・求人検索結果
デバイス開発(メモリ)、女性活躍、固定給35万円以上の転職・求人検索結果です。左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1~4件を表示
- 仕事
半導体×政府と主要企業がバックアップする国家プロジェクト/人員強化のための増員募集~ 【業務内容】 2nmプロセス及び
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>北海道千歳市住所:北海道千歳市 受動喫煙対策:屋内全面禁煙<勤務地詳細2>米IBM社住所:アメリカ...
- 給与
<予定年収>600万円~800万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):6,000,000円~8,000,...
- 事業
■事業内容: (1)半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売(2)環境に配慮した省エネルギ...
- 仕事
面白いことをやろうぜが理念/自由な雰囲気な職場/プロジェクトリーダー/年齢不問/転勤無し/残業20時間程度/年休123日
- 対象
学歴不問
- 勤務地
<勤務地詳細>本社もしくは新横浜DC住所:宮城県仙台市青葉区本町1-12-12GMビルディング2F /神奈川県横...
- 給与
<予定年収>480万円~600万円<賃金形態>月給制※予定年収、月収は手当含む<賃金内訳>月額(基本給):400,...
- 事業
工業製品/産業機器向けのASIC/FPGA/PCB開発請負事業・顧客企業からの仕様レベルからRTL設計/検証にわた...
- 仕事
~電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!SiC、GaN などのパ
- 対象
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
<勤務地詳細1>本社住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203受動喫煙対策:敷地...
- 最寄駅
桂駅、丹波口駅、上桂駅、梅小路京都西駅、洛西口駅、西院駅(京福線)
- 給与
<予定年収>700万円~1,000万円<賃金形態>年俸制<賃金内訳>年額(基本給):7,000,000円~10,0...
- 事業
■事業内容:GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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人気求人ランキング
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更新日:2026/7/23(木)
更新日:2026/7/2(木)
※求人応募数の多い順にランキングしています(非公開求人は除く)。
※集計対象期間:2026/7/16(木)~2026/7/22(水)
※事情により掲載終了予定日よりも前に求人募集が終了していることもございます。その場合は当サイトから応募はできませんので、あらかじめご了承ください。
更新日:2026/6/25(木)
更新日:2026/6/18(木)
更新日:2026/5/15(金)
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※集計対象期間:2026/7/16(木)~2026/7/22(水)
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更新日:2026/6/25(木)
更新日:2026/4/23(木)
更新日:2026/6/4(木)
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※集計対象期間:2026/7/16(木)~2026/7/22(水)
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