【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日

～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化へ｜大手半導体メーカー出身者が集うプロ集団～

＼次世代パワー半導体を研究から量産へ／
当社は、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる次世代パワー半導体を開発する“ファブレス半導体企業”です。
国内外の企業からの出資を受けながら、世界市場を見据えた事業を展開しています。
現在は、これまで培ってきた技術を製品として世の中へ届けるため、研究開発フェーズから量産フェーズへ移行を進めています。
世界のエネルギー効率向上に貢献する技術を、一緒に形にしていただける方を募集します。

▼仕事内容
トランジスタやダイオードなどのパワー半導体デバイスの設計・解析をお任せいたします。
【具体的には】
・デバイス構造の設計
・シミュレーション解析
・特性改善の検討
・試作評価
・ファウンドリとの技術連携
・量産化に向けた開発
※研究だけではなく、設計から量産立上げまで一貫して関われます。

▼開発製品
Wide Band Gap Power Devices
･SiC
･GaN など
当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。
今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。

▼教育体制
大手半導体メーカー出身のスペシャリストが多数在籍しています。
・TI
・ON Semiconductor
・日立
・三菱電機
・ルネサス
・ローム
第一線で活躍してきた技術者と共に開発できます。

▼その他
・年間休日数：124日
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
・従業員専用駐車場あり（会社負担）
・転居費用負担制度あり
・2026年内に京都リサーチパーク（京都市下京区中堂寺粟田町93）へ移転予定

▼当社について
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。


変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
＜業界未経験歓迎・業種未経験歓迎・第二新卒歓迎＞
■必須条件：
・半導体デバイスの動作原理や電気特性に関する知識をお持ちの方
※大学や大学院での研究経験をお持ちの方も歓迎します。
※SiC・GaN・MOSFETなどの次世代パワー半導体に興味がある方を歓迎します。

＜語学補足＞
【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

＜勤務地詳細1＞
本社
住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり
＜勤務地詳細2＞
京都リサーチパーク
住所：京都府京都市下京区中堂寺粟田町93
勤務地最寄駅：丹波口駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜勤務地補足＞
・2026年内に京都リサーチパーク（京都市下京区中堂寺粟田町93）へ移転予定
・従業員専用駐車場あり（会社負担）

＜転勤＞
無

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
専門業務型裁量労働制
みなし労働時間/日：8時間00分
休憩時間：60分
時間外労働有無：無

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～18:00

＜時短勤務＞
相談可

＜その他就業時間補足＞
平均残業時間：10時間

正社員

＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月
条件の変更なし

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：一律\12,000　＊会社規程あり
社会保険：補足事項なし

＜定年＞
65歳
再雇用制度あり（70歳まで）

＜副業＞
可

＜教育制度・資格補助補足＞
なし

＜その他補足＞
■転職に伴う引越し費用負担（規定あり）
■服装自由
■ストックオプション（規程あり）
■従業員専用駐車場あり
【その他】
・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み
・昇給については成果・実績に応じて配分あり

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年間休日日数124日

年末年始休暇：６日　＊当社カレンダーによる
副業：会社規程あり