- 仕事
～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
京都府、デバイス開発（パワー半導体）、原則定時退社 の転職・求人検索結果
京都府、デバイス開発（パワー半導体）、原則定時退社の転職・求人検索結果です。京都市、福知山市、舞鶴市など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
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