- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
京都府、デバイス開発（メモリ）、第二新卒歓迎 の転職・求人検索結果
京都府、デバイス開発（メモリ）、第二新卒歓迎の転職・求人検索結果です。京都市、福知山市、舞鶴市など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数4件中1～4件を表示
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレス
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
【機電系、半導体エンジニアポジションサーチ／◆連結2兆円以上、創業以来黒字経営、社員数7万人以上、総資産に占める自己資本
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細1＞鹿児島国分工場住所：鹿児島県霧島市国分山下町1-1 勤務地最寄駅：JR日豊本線／国分駅受動喫煙対策...
- 最寄駅
国分駅(鹿児島県)、みなとみらい駅、野洲駅、隼人駅、守山駅、日当山駅、新高島駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：272,000円～...
- 事業
【1959年創業／創業以来黒字経営／売上2.014兆円／連結従業員数77,136名／海外売り上げ比率71.0％／自...
