- 仕事
■業務内容：光半導体の量産工場におけるプロセス開発業務を担当して頂きます。 ■詳細：下記いずれかの業務を担当して頂きま
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府宇治市槇島町11-161 勤務地最寄駅：近鉄京都線／向島駅受動喫煙対策：屋内全面禁煙...
- 最寄駅
向島駅、小倉駅(京都府)、黄檗駅(京阪線)
- 給与
＜予定年収＞500万円～650万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：3,500,400円～4,027,...
- 事業
1973年の設立以来、独自の光半導体技術を用いて多くの独創的な製品を開発してきた光半導体の専業メーカーです。今後も...
京都府、デバイス開発（半導体・太陽光・液晶・LEDなど）、転勤なし（勤務地限定） の転職・求人検索結果
京都府、デバイス開発（半導体・太陽光・液晶・LEDなど）、転勤なし（勤務地限定）の転職・求人検索結果です。京都市、福知山市、舞鶴市など、左の求人検索条件にて絞込みができます。
該当求人数8件中1～8件を表示
- 仕事
【未経験歓迎／ミドル～シニア活躍中／京大との提携、大手企業との共同研究多数／低輝度でも発電可能◇エネルギー変換率トップを
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細1＞京都PSCイノベーションセンター住所：京都府久世郡久御山町佐古外屋敷43番地の1 勤務地最寄駅：近...
- 最寄駅
伊勢田駅、黄檗駅(奈良線)、大久保駅(京都府)、黄檗駅(京阪線)、新田駅(京都府)、三室戸駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～900万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：3,708,000円～6,684,...
- 事業
■事業内容：ペロブスカイト太陽電池（PSCs）及びその関連材料の開発、製造、販売など2018年1月設立の京都大学発...
- 仕事
■業務内容：光半導体の量産工場におけるプロセス開発業務に係るテスト技術業務を担当して頂きます。 ・テスト技術（半導体チッ
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府宇治市槙島町十一161 ２Ｆ勤務地最寄駅：近鉄京都線／向島駅受動喫煙対策：屋内全面禁...
- 最寄駅
向島駅、小倉駅(京都府)、ＪＲ小倉駅
- 給与
＜予定年収＞426万円～600万円＜賃金形態＞年俸制残業代は別途支給＜賃金内訳＞年額（基本給）：2,986,800...
- 事業
1973年の設立以来、独自の光半導体技術を用いて多くの独創的な製品を開発してきた光半導体の専業メーカーです。今後も...
- 仕事
～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
- 仕事
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと
- 対象
＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
- 勤務地
＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...
- 最寄駅
桂駅、上桂駅、洛西口駅
- 給与
＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...
- 事業
■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...
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