～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファ

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

【業界・職種未経験歓迎／第二新卒歓迎】 ■業務内容： 保険加入の相談を希望されている個人のお客様に対して、最適な保険商品

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜勤務地詳細1＞イオンモールKYOTO店住所：京都府京都市南区西九条鳥居口町1番地 イオンモールKYOTO 3F受...

東寺駅、洛西口駅、京田辺駅、京都駅、東向日駅、新田辺駅、九条駅(京都府)、桂駅、興戸駅

＜予定年収＞300万円～480万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：200,000円～320,000円...

■事業内容：保険という枠組みにこだわらず、「お客様や社会のためになる事業」を展開しております。生活のあらゆる場面で...

◆◇【京大発スタートアップ×バイオテクノロジー／事業推進担当】研究者とともにIPOを目指す！対外交渉や事業体制の構築など

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-36 京大桂ベンチャープラザ受動喫煙対策：屋内全面禁煙変更の...

上桂駅、桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞480万円～600万円＜賃金形態＞月給制給与は経験等により決定いたします。＜賃金内訳＞月額（基本給）：...

■事業内容： 魚類の腸内細菌叢に着目し、成長促進や免疫向上を達成する革新的な養殖技術を開発。機能性腸内細菌をブレン...

～スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ！電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

【業務内容】 当社はレーザーフュージョン商用炉の実現に向けた開発を行う、大阪大学発のディープテックスタートアップ企業です

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細1＞本社住所：大阪府吹田市山田丘2-8 大阪大学テクノアライアンスC棟C806受動喫煙対策：屋内全面禁...

阪大病院前駅、上桂駅、北千里駅、桂駅、豊川駅(大阪府)、洛西口駅

＜予定年収＞600万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：418,300円～697,22...

■事業内容： レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...

当社はレーザーフュージョン商用炉の実現に向けた開発を行う、大阪大学発のディープテックスタートアップ企業です。当ポジション

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細1＞本社住所：大阪府吹田市山田丘2-8 大阪大学テクノアライアンスC棟C806受動喫煙対策：屋内全面禁...

阪大病院前駅、上桂駅、北千里駅、桂駅、豊川駅(大阪府)、洛西口駅

＜予定年収＞600万円～1,000万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：418,300円～697,22...

■事業内容： レーザー核融合によるエネルギー革命と産業の創出を使命とする民間企業です。レーザー核融合エネルギーは、...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN な

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリスト技

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷...

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,0...

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾...

～透明太陽電池、熱線遮蔽フィルムの開発を行う企業／新しい技術に挑戦／年休125日～ 無機ナノ粒子の製造・開発、工程管理に

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細1＞宇治工場住所：京都府宇治市大久保町西ノ端1ー25 宇治ベンチャー企業育成工場　区画　1号勤務地最寄...

大久保駅(京都府)、桂駅、阪大病院前駅、伊勢田駅、上桂駅、豊川駅(大阪府)、新田駅(京都府)、...

＜予定年収＞420万円～600万円＜賃金形態＞月給制＜賃金内訳＞月額（基本給）：350,000円～500,000円...

■事業内容(1)熱線遮蔽フィルムの開発(2)赤外線から発電する透明な太陽電池の開発