サンディスク合同会社 【企画・管理】 の求人・中途採用情報

最先端メモリーデバイス開発における各工程の技術開発・プロセス開発・生産技術等の業務を担当。 最新の装備・設備を駆使して、最先端の技術に挑戦するモノづくりの醍醐味を味わえます。 ●工場の生産ライン（半導体の製造）は ・シリコンウェーハの洗浄 ・加熱による酸化膜の形成 ・ゲート電極の形成 ・感光剤を含んだ樹脂を塗布しレーザーによるパターンを転写 ・酸化膜を削り取るエッチング ・不純物イオンの混入 ・プラズマガスによる絶縁膜の形成 ・アルミなどの金属を蒸着させて電極を形成 といった様々な工程で成り立っています。 新規装置やプロセスの検討・立ち上げ、装置トラブルや品質異常などの原因検査・再発防止策の立案といった 多様な領域での業務があります。 まずは基礎的な知識を学びながら少しずつ各業務内容や挑戦したい領域を理解し、 半導体エンジニアとして成長していって下さい。 ＜キャリアプラン＞ 当社では専門職制度（フェロー）を導入しており、マネジメントだけではなく、 スペシャリストとしてキャリアアップを目指せる環境があります。

年俸500万円以上 ※2018年新卒初任給実績参考 学部卒／470万円 修士了／500万円 博士了／570万円 ※社内規定に基づき経験・能力を考慮します。 ※上記に加え、年間2回の業績賞与支給あり。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※名古屋駅から直通の高速バス利用可 ※自動車通勤可。高速道路料金・会社負担 ※U・Iターン歓迎 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当あり ※将来的に転勤の可能性あり（国内・海外）

最先端メモリーデバイス開発における各工程の技術開発や生産技術・生産管理等の業務を担当。 最新の装備・設備を駆使して、最先端の技術に挑戦するモノづくりの醍醐味が味わえます。 ●工場の生産ライン（半導体の製造）は ・シリコンウェーハの洗浄 ・加熱による酸化膜の形成 ・ゲート電極の形成 ・感光剤を含んだ樹脂を塗布しレーザーによるパターンを転写 ・酸化膜を削り取るエッチング ・不純物イオンの混入 ・プラズマガスによる絶縁膜の形成 ・アルミなどの金属を蒸着させて電極を形成 といった様々な工程で成り立っています。 新規装置やプロセスの検討・立ち上げ、装置トラブルや品質異常などの原因検査・再発防止策の立案といった 多様な領域での業務があります。 まずは基礎的な知識を学びながら少しずつ各業務内容や挑戦したい領域を理解し、 半導体エンジニアとして成長していって下さい。 ＜キャリアプラン＞ 当社では専門職制度（フェロー）を導入しており、マネジメントだけではなく、 スペシャリストとしてキャリアアップを目指せる環境があります。

■年俸：500万円以上 ※現在の年収・経験・能力により優遇します。 ※上記に加え、年間2回の業績賞与支給あり。 ※上記年俸は今回の採用における最低保証額です。 ※年俸制：12分の1を月々支給。 【2018年新卒初任給実績＜参考＞】 ◇学士　年俸：470万円 ◇修士　年俸：500万円 ◇博士　年俸：570万円

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※名古屋駅から直通の高速バス利用可 ※自動車通勤可。高速道路料金・会社負担 ※U・Iターン歓迎 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当あり ※将来的に転勤の可能性あり（国内・国外）

最先端メモリデバイス開発における各種業務を担当していただきます。 ※スキル・経験、適性や希望を考慮し、配属を決定します。 【主な業務内容】 ■プロセスエンジニア <いずれかの工程を担当> ドライエッチング、ウェットエッチング（洗浄）、CMP（平坦化）、PE-CVD、LP-CVD、Metal、Diffusion/Ion Implantation（イオン注入） 品質・コスト・生産性の改善を目的とした量産化技術の開発、設備・プロセス立ち上げ業務に従事いただきます。 ■プロダクトエンジニア（製品技術） 新製造プロセスの量産立ち上げ業務と歩留まり改善業務。 製品（ウェハー）の電気特性やデバイス形状を起点としての各プロセス改善や、 製造工程内で発生するビッグデータをデータマイニングして歩留まり改善や品質改善業務を担当いただきます。 ■プロセスインテグレーション 製造プロセスフローの開発業務全般。 メモリデバイスに要求される電気特性や信頼性を満たすための製造プロセス、新規材料、素子、デバイス構造、 レイアウトなどの開発・改善を担当いただきます。 ■イールドマネジメント 製造工程内で、電気的、物理的欠陥検査、各種問題の原因特定とその問題解決、不良解析、 ビッグデータ解析などの業務。 製品（ウェハー）の歩留まりを向上・維持させることを目標に、完成した製品のテストデータを分析し、 不良原因の特定、改善を実施していただきます。 ■QAQC 各種デバイスに発生した品質問題の原因究明と是正業務。

■年俸（500万円以上） ※現在の年収・経験・能力により優遇します。 ※上記に加え、年間2回の業績賞与支給あり。 ※上記年俸は今回の採用における最低保証額です。 ※年俸制：12分の1を月々支給。 【2018年新卒初任給実績＜参考＞】 ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※名古屋駅から直通の高速バス利用可 ※自動車通勤可。高速道路料金・会社負担 ※U・Iターン歓迎 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当あり ※将来的に転勤の可能性あり（国内・国外）

最先端メモリデバイス開発における各種業務を担当していただきます。 ※スキル・経験、適性や希望を考慮し、配属を決定します。 【主な業務内容】 ■ユニットプロセスエンジニア <いずれかの工程を担当> ドライエッチング、ウェットエッチング（洗浄）、CMP（平坦化）、PE-CVD、LP-CVD、Metal、Diffusion/Ion Implantation（イオン注入） 品質・コスト・生産性の改善を目的とした量産化技術の開発、設備・プロセス立ち上げ業務に従事いただきます。 ■先端リソグラフィ開発 最先端メモリデバイスにおける先端リソグラフィ技術開発業務。 ※先端メモリデバイス向けリソグラフィ技術開発 ※次世代露光技術開発 ■プロダクトエンジニア（製品技術） 新製造プロセスの量産立ち上げ業務と歩留まり改善業務。 製品（ウェハー）の電気特性やデバイス形状を起点としての各プロセス改善や、 製造工程内で発生するビッグデータをデータマイニングして歩留まり改善や品質改善業務を担当いただきます。 ■プロセスインテグレーション 製造プロセスフローの開発業務全般。 メモリデバイスに要求される電気特性や信頼性を満たすための製造プロセス、新規材料、素子、デバイス構造、 レイアウトなどの開発・改善を担当いただきます。 ■イールドマネジメント 製造工程内で、電気的、物理的欠陥検査、各種問題の原因特定とその問題解決、不良解析、 ビッグデータ解析などの業務。 製品（ウェハー）の歩留まりを向上・維持させることを目標に、完成した製品のテストデータを分析し、 不良原因の特定、改善を実施していただきます。 ■QAQC 各種デバイスに発生した品質問題の原因究明と是正業務。

■年俸（470万円以上）＋賞与 ※現在の年収・経験・能力により優遇します。 ※年俸470万円は2017年新卒（学士）の初任給です。 ※上記年俸は今回の採用における最低保証額です。 ※年俸制：12分の1を月々支給。 【2017年新卒初任給実績＜参考＞】 ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※名古屋駅から直通の高速バス利用可 ※自動車通勤可。高速道路料金・会社負担 ※U・Iターン歓迎 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当あり（詳細は福利厚生欄をご参照ください） ※将来的に転勤の可能性あり（国内・国外）

最先端メモリデバイス開発における各種業務を担当していただきます。 ※スキル・経験、適性や希望を考慮し、配属を決定します。 【主な業務内容】 ■ユニットプロセスエンジニア <いずれかの工程を担当> ドライエッチング、ウェットエッチング（洗浄）、CMP（平坦化）、PE-CVD、LP-CVD、Metal、Diffusion/Ion Implantation（イオン注入） 品質・コスト・生産性の改善を目的とした量産化技術の開発、設備・プロセス立ち上げ業務に従事いただきます。 ■先端リソグラフィ開発 最先端メモリデバイスにおける先端リソグラフィ技術開発業務。 ※先端メモリデバイス向けリソグラフィ技術開発 ※次世代露光技術開発 ■プロダクトエンジニア（製品技術） 新製造プロセスの量産立ち上げ業務と歩留まり改善業務。 製品（ウェハー）の電気特性やデバイス形状を起点としての各プロセス改善や、 製造工程内で発生するビッグデータをデータマイニングして歩留まり改善や品質改善業務を担当いただきます。 ■プロセスインテグレーション 製造プロセスフローの開発業務全般。 メモリデバイスに要求される電気特性や信頼性を満たすための製造プロセス、新規材料、素子、デバイス構造、 レイアウトなどの開発・改善を担当いただきます。 ■イールドマネジメント 製造工程内で、電気的、物理的欠陥検査、各種問題の原因特定とその問題解決、不良解析、 ビッグデータ解析などの業務。 製品（ウェハー）の歩留まりを向上・維持させることを目標に、完成した製品のテストデータを分析し、 不良原因の特定、改善を実施していただきます。 ■QAQC 各種デバイスに発生した品質問題の原因究明と是正業務。

■年俸（470万円以上）＋賞与 ※現在の年収・経験・能力により優遇します。 ※年俸470万円は2017年新卒（学士）の初任給です。 ※年俸制：12分の1を月々支給 【2017年新卒初任給実績＜参考＞】 ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※名古屋駅から直通の高速バス利用可 ※自動車通勤可。高速道路料金・会社負担 ※U・Iターン歓迎 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当あり（詳細は福利厚生欄をご参照ください） ※将来的に転勤の可能性あり（国内・国外）

最先端メモリデバイス開発における各種業務を担当していただきます。 ※スキル・経験、適性や希望を考慮し、配属を決定します。 【主な業務内容】 ■ユニットプロセスエンジニア <いずれかの工程を担当> ドライエッチング、ウェットエッチング（洗浄）、CMP（平坦化）、PE-CVD、LP-CVD、Metal、Diffusion/Ion Implantation（イオン注入） 品質・コスト・生産性の改善を目的とした量産化技術の開発、設備・プロセス立ち上げ業務に従事いただきます。 ■先端リソグラフィ開発 最先端メモリデバイスにおける先端リソグラフィ技術開発業務。 ※先端メモリデバイス向けリソグラフィ技術開発 ※次世代露光技術開発 ■プロダクトエンジニア（製品技術） 新製造プロセスの量産立ち上げ業務と歩留まり改善業務。 製品（ウェハー）の電気特性やデバイス形状を起点としての各プロセス改善や、 製造工程内で発生するビッグデータをデータマイニングして歩留まり改善や品質改善業務を担当いただきます。 ■プロセスインテグレーション 製造プロセスフローの開発業務全般。 メモリデバイスに要求される電気特性や信頼性を満たすための製造プロセス、新規材料、素子、デバイス構造、 レイアウトなどの開発・改善を担当いただきます。 ■イールドマネジメント 製造工程内で、電気的、物理的欠陥検査、各種問題の原因特定とその問題解決、不良解析、 ビッグデータ解析などの業務。 製品（ウェハー）の歩留まりを向上・維持させることを目標に、完成した製品のテストデータを分析し、 不良原因の特定、改善を実施していただきます。 ■QAQC 各種デバイスに発生した品質問題の原因究明と是正業務。

■年俸（470万円以上）＋賞与 ※現在の年収・経験・能力により優遇します。 ※年俸470万円は2017年新卒（学士）の初任給です。 ※年俸制：12分の1を月々支給 【2017年新卒初任給実績＜参考＞】 ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※名古屋駅から直通の高速バス利用可 ※自動車通勤可。高速道路料金・会社負担 ※U・Iターン歓迎 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当あり（詳細は福利厚生欄をご参照ください） ※将来的に転勤の可能性あり（国内・国外）

NAND型フラッシュメモリの量産開発プロジェクトまたはPost NANDメモリ開発について、 経験・適性を考慮し下記いずれかの業務を担当していただきます ■プロセス開発 成膜（CVD、LP-CVD）、拡散（Diffusion）、エッチング（Wet、Dry）、研磨（CMP）等の生産性向上、歩留まり改善 ■デバイス開発 製品の品質改善、電気特性解析、不良品解析業務、量産製品の電気的、物理的欠陥検査 ■プロセスインテグレーション開発 新規工程の開発、製品の品質改善、製品特性の解析、評価 ※当社は半導体の最先端技術へ積極投資しています。 その技術に触れ、スキルアップすることができる国内では数少ない企業の一つと言えます。 設計・製造・設備部門など、各関係者と協力しながら業務を行います。 日本だけでなく海外のエンジニアとも協業する機会が多いので、英語力を活かせます。 ※入社時の英語力は必須ではありません。入社後に語学研修も行っています。

年俸470万円以上＋賞与　 ※現在の年収と経験により決定いたします。 ※年俸制：12分の1を月々支給 ■2017年新卒初任給実績■ ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円 ※経験・能力により優遇いたします。じっくり話し合いましょう。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※自動車通勤可。U・Iターン歓迎。 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当有(詳細は福利厚生欄をご参照ください)

NAND型フラッシュメモリの量産開発プロジェクトまたはPost NANDメモリ開発について、 経験・適性を考慮し下記いずれかの業務を担当していただきます ■プロセス開発 成膜（CVD、LP-CVD）、拡散（Diffusion）、エッチング（Wet、Dry）、研磨（CMP）等の生産性向上、歩留まり改善 ■デバイス開発 製品の品質改善、電気特性解析、不良品解析業務、量産製品の電気的、物理的欠陥検査 ■プロセスインテグレーション開発 新規工程の開発、製品の品質改善、製品特性の解析、評価 ※当社は半導体の最先端技術へ積極投資しています。 その技術に触れ、スキルアップすることができる国内では数少ない企業の一つと言えます。 設計・製造・設備部門など、各関係者と協力しながら業務を行います。 日本だけでなく海外のエンジニアとも協業する機会が多いので、英語力を活かせます。 ※入社時の英語力は必須ではありません。入社後に語学研修も行っています。

年俸470万円以上＋賞与　 ※現在の年収と経験により決定いたします。 ※年俸制：12分の1を月々支給 ■2017年新卒初任給実績■ ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円 ※経験・能力により優遇いたします。じっくり話し合いましょう。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※自動車通勤可。U・Iターン歓迎。 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当有(詳細は福利厚生欄をご参照ください)

NAND型フラッシュメモリの量産開発プロジェクトまたはPost NANDメモリ開発について、 経験・適性を考慮し下記いずれかの業務を担当していただきます ■プロセス開発 成膜（CVD、LP-CVD）、拡散（Diffusion）、エッチング（Wet、Dry）、研磨（CMP）等の生産性向上、歩留まり改善 ■デバイス開発 製品の品質改善、電気特性解析、不良品解析業務、量産製品の電気的、物理的欠陥検査 ■プロセスインテグレーション開発 新規工程の開発、製品の品質改善、製品特性の解析、評価 ※当社は半導体の最先端技術へ積極投資しています。 その技術に触れ、スキルアップすることができる国内では数少ない企業の一つと言えます。 設計・製造・設備部門など、各関係者と協力しながら業務を行います。 日本だけでなく海外のエンジニアとも協業する機会が多いので、英語力を活かせます。 ※入社時の英語力は必須ではありません。入社後に語学研修も行っています。

年俸470万円以上＋賞与　 ※現在の年収と経験により決定いたします。 ※年俸制：12分の1を月々支給 ■2017年新卒初任給実績■ ◇学士 470万円 ◇修士 500万円 ◇博士 570万円 ※経験・能力により優遇いたします。じっくり話し合いましょう。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※自動車通勤可。U・Iターン歓迎。 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当有(詳細は福利厚生欄をご参照ください)

NAND型フラッシュメモリの量産開発プロジェクトまたはPost NANDメモリ開発について、 経験・適性を考慮し下記いずれかの業務を担当していただきます ■プロセス開発 成膜（CVD、LP-CVD）、拡散（Diffusion）、エッチング（Wet、Dry）、研磨（CMP）等の生産性向上、歩留まり改善 ■デバイス開発 製品の品質改善、電気特性解析、不良品解析業務、量産製品の電気的、物理的欠陥検査 ■プロセスインテグレーション開発 新規工程の開発、製品の品質改善、製品特性の解析、評価 ※当社は半導体の最先端技術へ積極投資しています。 その技術に触れ、スキルアップすることができる国内では数少ない企業の一つと言えます。 ＜フラットな社風＞ 年齢や社歴に関わらず活躍できるのが当社の特徴。 意見は言いやすく提案もしやすい環境です。 変化や新しい物の見方を受け入れる社風ですので、 アイデアなどがあれば積極的に提案してください。

【年俸制】年俸450万円以上+業績賞与 ※金銭による報酬に加えて、入社時または業績賞与時に自社株式が付与され、 　経過勤続年数によって売却権が与えられるRSU制度があります。(当社規定による) ※単身赴任を希望される方には別途毎月の住宅費の補助、月2回の帰省費を支給。 ■2014年新卒初任給実績■ ◇学士 450万円 ◇修士 480万円 ◇博士 560万円 ※年俸の12分の1を月々支給します。 ※経験・能力により優遇いたします。じっくり話し合いましょう。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※自動車通勤可。U・Iターン歓迎。 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当有※詳細は福利厚生欄をご参照ください。

NAND型フラッシュメモリの量産開発プロジェクトまたはPost NANDメモリ開発について、 経験・適性を考慮し下記いずれかの業務を担当していただきます ■プロセス開発 成膜（CVD、LP-CVD）、拡散（Diffusion）、エッチング（Wet、Dry）、研磨（CMP）等の生産性向上、歩留まり改善 ■デバイス開発 製品の品質改善、電気特性解析、不良品解析業務、量産製品の電気的、物理的欠陥検査 ■プロセスインテグレーション開発 新規工程の開発、製品の品質改善、製品特性の解析、評価 ※当社は半導体の最先端技術へ積極投資しています。 その技術に触れ、スキルアップすることができる国内では数少ない企業の一つと言えます。 ＜フラットな社風＞ 年齢や社歴に関わらず活躍できるのが当社の特徴。 意見は言いやすく提案もしやすい環境です。 変化や新しい物の見方を受け入れる社風ですので、 アイデアなどがあれば積極的に提案してください。

【年俸制】年俸450万円以上+業績賞与 ※金銭による報酬に加えて、入社時または業績賞与時に自社株式が付与され、 　経過勤続年数によって売却権が与えられるRSU制度があります。(当社規定による) ※単身赴任を希望される方には別途毎月の住宅費の補助、月2回の帰省費を支給。 ■2014年新卒初任給実績■ ◇学士 450万円 ◇修士 480万円 ◇博士 560万円 ※年俸の12分の1を月々支給します。 ※経験・能力により優遇いたします。じっくり話し合いましょう。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※自動車通勤可。U・Iターン歓迎。 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当有※詳細は福利厚生欄をご参照ください。

NAND型フラッシュメモリの量産開発プロジェクトまたはPost NANDメモリ開発について、 経験・適性を考慮し下記いずれかの業務を担当していただきます ■プロセス開発 成膜（CVD、LP-CVD）、拡散（Diffusion）、エッチング（Wet、Dry）、研磨（CMP）等の生産性向上、歩留まり改善 ■デバイス開発 製品の品質改善、電気特性解析、不良品解析業務、量産製品の電気的、物理的欠陥検査 ■プロセスインテグレーション開発 新規工程の開発、製品の品質改善、製品特性の解析、評価 ※当社は半導体の最先端技術へ積極投資しています。 その技術に触れ、スキルアップすることができる国内では数少ない企業の一つと言えます。 ＜フラットな社風＞ 年齢や社歴に関わらず活躍できるのが当社の特徴。 意見は言いやすく提案もしやすい環境です。 変化や新しい物の見方を受け入れる社風ですので、 アイデアなどがあれば積極的に提案してください。

【年俸制】年俸450万円以上+業績賞与 ※金銭による報酬に加えて、入社時または業績賞与時に自社株式が付与され、 　経過勤続年数によって売却権が与えられるRSU制度があります。(当社規定による) ※単身赴任を希望される方には別途毎月の住宅費の補助、月2回の帰省費を支給。 ■2014年新卒初任給実績■ ◇学士 450万円 ◇修士 480万円 ◇博士 560万円 ※年俸の12分の1を月々支給します。 ※経験・能力により優遇いたします。じっくり話し合いましょう。

【四日市工場】三重県四日市市山之一色町800 ※自動車通勤可。U・Iターン歓迎。 ※入社に伴い転居が必要な方には引越手当有※詳細は福利厚生欄をご参照ください。

【募集職種】 ・プロセスエンジニア 　―リソグラフィ担当 　―ドライエッチング担当 　―ディフュージョン 　―LP－CVD 　―PE－CVD 　―Wet 　―CMP 　―メトロロジ 　―メタル ・プロダクトエンジニア ・テストエンジニア 【ある四日市のエンジニアのデイリースケジュール】 08:00　7:30頃に起床。通勤はマイカーで約20分 09:00　出社。メールのチェックとスケジュールの確認 10:00　資料作成、午後のクリーンルームでの実験準備 12:00　食堂でランチ。メニューが豊富 13:00　プロセスグループのミーティングに参加 14:00　防塵服を着てクリーンルーム内でウエハ加工 15:00　実験結果などのデータをまとめる 17:00　ミーティングなどで使う資料を作成 19:00　退社。自宅ではDVDの映画を観てリラックス 【サンディスクの強み】 実は遡ること20年前、まだ半導体の主な用途がパソコンと限定されていた時代に、 将来を見越してフラッシュメモリに注力してきたのがサンディスク。 当時から携帯型音楽プレーヤの誕生など、フラッシュメモリの可能性を見抜いていました。 現在、携帯型音楽プレーヤに限らず、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話、SSD搭載PCなど NAND型フラッシュメモリ市場は、今後も大きな成長が見込まれています。 今、市場から求められるのは、『微細化』と『大容量化』。 サンディスクは、1枚のセルに2ビットの情報を搭載するMLC（マルチ・レベル・セル） 多値技術を駆使し、この分野で常に業界をリードしてきました。 【中途入社の方へ社員からのメッセージ】 「最先端の半導体プロセスに携わる技術者にとって、転居に対しての不安もあるかと思いますが、 得るものが多い環境が待っていますよ！ためらわずにサンディスクの門を叩いてください！」 【四日市の生活環境は？】 何しろ家賃が安いのが最大の特徴です。 名古屋駅から歩ける距離にある2LDKのマンションが10万円で借りられます。 また、四日市だと10万円で一軒屋が借りられます。 首都圏と比較すると、名古屋の家賃は約半分です。 ＜生活の利便性＞ サンディスクの社員は、名古屋に住む方もいます。 特に家族と転居される場合に、そのようなケースがあります。 名古屋から四日市までは30分程度。都会のような渋滞はありませんし、通勤ラッシュから開放されます。 首都圏でたとえるならば、横浜から東京ぐらいの距離と言えるでしょう。

年俸450万円以上 (2010年度大卒初任給） ※上記はあくまでも参考です ※プロセス技術開発経験者は“業界最高水準”の年俸にてお迎えします ※経験・能力・前給などを考慮の上、規定により決定いたします

東芝四日市工場：三重県四日市市

【募集職種】 ・プロセスエンジニア 　―リソグラフィ担当 　―ドライエッチング担当 ・プロダクトエンジニア ・テストエンジニア 【ある四日市のエンジニアのデイリースケジュール】 08:00　7:30頃に起床。通勤はマイカーで約20分 09:00　出社。メールのチェックとスケジュールの確認 10:00　資料作成、午後のクリーンルームでの実験準備 12:00　食堂でランチ。メニューが豊富 13:00　プロセスグループのミーティングに参加 14:00　防塵服を着てクリーンルーム内でウエハ加工 15:00　実験結果などのデータをまとめる 17:00　ミーティングなどで使う資料を作成 19:00　退社。自宅ではDVDの映画を観てリラックス 【サンディスクの強み】 実は遡ること20年前、まだ半導体の主な用途がパソコンと限定されていた時代に、 将来を見越してフラッシュメモリに注力してきたのがサンディスク。 当時から携帯型音楽プレーヤの誕生など、フラッシュメモリの可能性を見抜いていました。 現在、携帯型音楽プレーヤに限らず、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話、SSD搭載PCなど NAND型フラッシュメモリ市場は、今後も大きな成長が見込まれています。 今、市場から求められるのは、『微細化』と『大容量化』。 サンディスクは、1枚のセルに2ビットの情報を搭載するMLC（マルチ・レベル・セル） 多値技術を駆使し、この分野で常に業界をリードしてきました。 【中途入社の方へ社員からのメッセージ】 「最先端の半導体プロセスに携わる技術者にとって、転居に対しての不安もあるかと思いますが、 得るものが多い環境が待っていますよ！ためらわずにサンディスクの門を叩いてください！」 【四日市の生活環境は？】 何しろ家賃が安いのが最大の特徴です。 名古屋駅から歩ける距離にある2LDKのマンションが10万円で借りられます。 また、四日市だと10万円で一軒屋が借りられます。 首都圏と比較すると、名古屋の家賃は約半分です。 ＜生活の利便性＞ サンディスクの社員は、名古屋に住む方もいます。 特に家族と転居される場合に、そのようなケースがあります。 名古屋から四日市までは30分程度。都会のような渋滞はありませんし、通勤ラッシュから開放されます。 首都圏でたとえるならば、横浜から東京ぐらいの距離と言えるでしょう。

年俸450万円以上 (2009年度大卒初任給） ※上記はあくまでも参考です ※プロセス技術開発経験者は“業界最高水準”の年俸にてお迎えします ※経験・能力・前給などを考慮の上、規定により決定いたします

（1）東芝四日市工場：三重県四日市市 （2）大船研究所：神奈川県鎌倉市