Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社 の求人・中途採用情報

～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／電気自動車（EV）や再生可能エネルギーの普及によって需要が高まっている「パワー半導体」を扱っております！～ ■採用背景： SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、製品仕様の決定のための信頼性評価技術・歩留まり向上技術の体制確立が急務の為、それに伴う人材の強化を進めています。 ■業務内容： 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。 【変更の範囲：会社の定める業務】 ■配属先情報： 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で20～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。 ■成長計画： パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■当社について： ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円＜月額＞583,333円～916,666円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／大手半導体メーカー出身社員（10~30年以上の経験を有するメンバー）と共に高度な技術開発ができ、顧客の要望に沿った製品を一から作り上げることができます！～ ■採用背景： SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制・信頼性確保・量産体制を強化するための採用です。 ■業務内容： 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。【変更の範囲：会社の定める業務】 ■配属先情報： 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で１0～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。 ■成長計画： パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■当社について： ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円＜月額＞583,333円～916,666円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無＜給与補足＞賞与:なし賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★スキルアップできる環境です！／年休120日／業界先端のパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業～ ■採用背景： これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違している当社。 資金調達および顧客開拓が順調に進み量産に向けて始動しております。 今回はこれまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していくため、新たな人財を採用します。 ■業務内容： 化合物半導体（SiC・GaN）を使用したパワー半導体の量産化にあたり、ファウンドリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整をお任せします。 ■業務詳細： ・海外ファウンドリメーカーとの生産管理（在庫管理） ・顧客からの要求品質に合わせた製造計画／ロット投入計画の管理 ・国内&海外チームメンバー間の業務連携 ・品質管理・製造工程管理／出荷管理／在庫管理など ※海外出張があります。 ※海外とのWEBミーティング：週5～6回 【変更の範囲：会社の定める業務】 ■配属先情報： 大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。 ■成長計画： パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■当社について： ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市／JETRO／中小機構の支援の下、開発を行っております。

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～10,000,000円＜月額＞416,666円～833,333円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞有＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／国内外工場のプロセス管理をお任せします！／転勤無／年休120日／業界先端のパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／マイカー通勤可～ ■採用背景： これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違している当社。資金調達および顧客開拓が順調に進み、量産に向けて始動しております。今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為、新たな人財を採用します。 ■業務内容： 化合物半導体（SiC,GaN）を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。委託先工場は複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場（工場間で製品は直送）になります。 担当領域は、プロセスインテグレーション（進捗管理）、工程管理、物流管理です。生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。国内・海外チームメンバー間の業務連携が重要です。 ※ご入社後は、ご本人のキャリアを考慮し、担当できる業務からお任せしていきます。 ※海外出張があり、海外とのWEBミーティングは週5～6回ございます。 【変更の範囲：会社の定める業務】 ■担当製品について： Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) ■配属先情報： 大手半導体メーカーで20～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができ、スキルを高めることができる環境が整っております。 ■成長計画： パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■当社について： ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇京都市／JETRO／中小機構の支援の下、開発を行っております。

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：3,809,532円～7,619,052円固定残業手当/月：99,206円～198,413円（固定残業時間20時間0分/月）超過した時間外労働の残業手当は追加支給＜月額＞416,667円～833,334円（12分割）（一律手当を含む）＜昇給有無＞有＜残業手当＞有＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。