Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社 の求人・中途採用情報

～スペシャリスト集団の中で最先端技術を学ぶ！電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワーデバイスの設計開発メーカー／国内外からの出資企業多数！～ ▼事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼職務内容 パワーデバイス開発を行うファブレスの設計開発企業である当社にて国内外工場のプロセス管理をお任せします。 ＜職務詳細＞ 具体的には、化合物半導体（SiC,GaN）を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。 ・プロセスインテグレーション（進捗管理） ・工程管理 ・物流管理 生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。 ※委託先工場：国内外に複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場（工場間で製品は直送）で行っています。 ※海外出張：有、海外とのWEBミーティング：週5～6回 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属組織 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。 一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ▼在籍社員の入社理由 ・Siデバイスだけでなく、SiCやGaNを学びたい ・半導体製造プロセスに一貫して関わりたい 他社ではできない経験や知識を求めてご入社される方が多いです。 ▼給与形態 ・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ▼当社について 高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,000円＜月額＞416,666円～583,333円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。■ビジョン：地球温暖化に伴い「CO2排出削減」「省エネルギー」が社会的な重要課題となり、グリーンテクノロジーに向けたパラダイムシフトが進行し、自動車や鉄道、さらにはスマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となっています。Anjet Research Lab 株式会社はこのような社会的課題に対し電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発により貢献したいと取り組んでいます。■特徴（TOPICS）：大手半導体メーカー(Texas Instruments, Mitsubishi Elec., Renesas, ROHM,ON Semiconductor. etc.)で20~30年以上の経験を有するメンバーで構成されている為、確かな技術・経験を持ったメンバーと仕事ができます。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと一緒に働く貴重な経験ができます◎～ ▼事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼業務内容 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるエコデバイスの実現のため製造された半導体製品の長期的な信頼性を検証し、耐久性や故障メカニズムを解析していただきます。 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属組織 大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。 一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ▼在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・世界中のスペシャリストと最先端技術を推進させたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ▼給与形態 専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ▼当社について： ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,000円＜月額＞416,666円～583,333円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。■ビジョン：地球温暖化に伴い「CO2排出削減」「省エネルギー」が社会的な重要課題となり、グリーンテクノロジーに向けたパラダイムシフトが進行し、自動車や鉄道、さらにはスマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となっています。Anjet Research Lab 株式会社はこのような社会的課題に対し電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発により貢献したいと取り組んでいます。■特徴（TOPICS）：大手半導体メーカー(Texas Instruments, Mitsubishi Elec., Renesas, ROHM,ON Semiconductor. etc.)で20~30年以上の経験を有するメンバーで構成されている為、確かな技術・経験を持ったメンバーと仕事ができます。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業～ ■事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、SiCパワー半導体デバイスの量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ■業務内容 トランジスタやダイオードなどの半導体デバイスの特性を設計・解析し、性能向上を図っていただきます。 ■製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ■配属先情報 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。 一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ■在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・半導体製造プロセスに一貫して関わりたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ■給与形態 ・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ■当社について： ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,000円＜月額＞416,666円～583,333円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。■ビジョン：地球温暖化に伴い「CO2排出削減」「省エネルギー」が社会的な重要課題となり、グリーンテクノロジーに向けたパラダイムシフトが進行し、自動車や鉄道、さらにはスマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となっています。Anjet Research Lab 株式会社はこのような社会的課題に対し電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発により貢献したいと取り組んでいます。■特徴（TOPICS）：大手半導体メーカー(Texas Instruments, Mitsubishi Elec., Renesas, ROHM,ON Semiconductor. etc.)で20~30年以上の経験を有するメンバーで構成されている為、確かな技術・経験を持ったメンバーと仕事ができます。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業～ ▼事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼業務内容 化合物半導体（SiC・GaN）を使用したパワー半導体の量産化にあたり、ファウンドリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整をお任せします。 ＜業務詳細＞ ・海外ファウンドリメーカーとの生産管理（在庫管理） ・顧客からの要求品質に合わせた製造計画／ロット投入計画の管理 ・国内&海外チームメンバー間の業務連携 ・品質管理・製造工程管理／出荷管理／在庫管理など ※海外出張があります。 ※海外とのWEBミーティング：週5～6回 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属組織 大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つスペシャリストと一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ▼在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・世界中のスペシャリストと最先端技術を推進させたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ▼給与形態 専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ■当社について： ◇台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞500万円～700万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円～7,000,000円＜月額＞416,666円～583,333円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞有＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。■ビジョン：地球温暖化に伴い「CO2排出削減」「省エネルギー」が社会的な重要課題となり、グリーンテクノロジーに向けたパラダイムシフトが進行し、自動車や鉄道、さらにはスマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となっています。Anjet Research Lab 株式会社はこのような社会的課題に対し電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発により貢献したいと取り組んでいます。■特徴（TOPICS）：大手半導体メーカー(Texas Instruments, Mitsubishi Elec., Renesas, ROHM,ON Semiconductor. etc.)で20~30年以上の経験を有するメンバーで構成されている為、確かな技術・経験を持ったメンバーと仕事ができます。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリスト技術者と協業◎～ ▼事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼職務内容 パワーデバイス開発を行うファブレスの設計開発企業である当社にて国内外工場のプロセス管理をお任せします。 ＜職務詳細＞ 具体的には、化合物半導体（SiC,GaN）を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。 ・プロセスインテグレーション（進捗管理） ・工程管理 ・物流管理 生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。 ※委託先工場：国内外に複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場（工場間で製品は直送）で行っています。 ※海外出張：有、海外とのWEBミーティング：週5～6回 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属組織 大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つスペシャリストと一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ▼在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・半導体製造プロセスに一貫して関わりたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ▼給与形態 ・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ▼当社について 高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円＜月額＞583,333円～916,666円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業～ ■事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、SiCパワー半導体デバイスの量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ■業務内容 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアと連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。 ■製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ■配属先情報 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。 一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ■在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・半導体製造プロセスに一貫して関わりたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ■給与形態 ・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ■当社について： ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円＜月額＞583,333円～916,666円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無＜給与補足＞賞与:なし賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと一緒に働く貴重な経験ができます◎～ ▼事業ミッション これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼業務内容 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるエコデバイスの実現のため製造された半導体製品の長期的な信頼性を検証し、耐久性や故障メカニズムを解析していただきます。 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属組織 大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。 一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ▼在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・世界中のスペシャリストと最先端技術を推進させたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ▼給与形態 専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ▼当社について： ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円＜月額＞583,333円～916,666円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！業界先端のパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業～ ▼事業ミッション 当社はこれまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。 現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼業務内容 化合物半導体（SiC・GaN）を使用したパワー半導体の量産化にあたり、ファウンドリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整をお任せします。 ＜業務詳細＞ ・海外ファウンドリメーカーとの生産管理（在庫管理） ・顧客からの要求品質に合わせた製造計画／ロット投入計画の管理 ・国内&海外チームメンバー間の業務連携 ・品質管理・製造工程管理／出荷管理／在庫管理など ※海外出張があります。 ※海外とのWEBミーティング：週5～6回 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 ▼入社後・配属組織 大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つスペシャリストと一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。 ▼在籍社員の入社理由 ・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい ・世界中のスペシャリストと最先端技術を推進させたい ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。 ▼給与形態 専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ▼当社について： ◇台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇京都市／JETRO／中小機構の支援の下、開発を行っております。 変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

桂駅、上桂駅、洛西口駅

＜予定年収＞700万円～1,100万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円＜月額＞583,333円～916,666円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞有＜給与補足＞※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。