Anjet Research Lab株式会社
【京都市/転勤無】ディスクリート半導体のプロセスエンジニア★業界先端の技術開発/グローバルに活躍!
募集要項
おしごと用語集仕事内容
~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/国内外工場のプロセス管理をお任せします!/転勤無/年休120日/業界先端のパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/マイカー通勤可~
■採用背景:
これまでR&Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違している当社。資金調達および顧客開拓が順調に進み、量産に向けて始動しております。今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化(量産化)していく為、新たな人財を採用します。
■業務内容:
化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。委託先工場は複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場(工場間で製品は直送)になります。
担当領域は、プロセスインテグレーション(進捗管理)、工程管理、物流管理です。生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。国内・海外チームメンバー間の業務連携が重要です。
※ご入社後は、ご本人のキャリアを考慮し、担当できる業務からお任せしていきます。
※海外出張があり、海外とのWEBミーティングは週5~6回ございます。
【変更の範囲:会社の定める業務】
■担当製品について:
Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.)
■配属先情報:
大手半導体メーカーで20~30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができ、スキルを高めることができる環境が整っております。
■成長計画:
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。
■当社について:
◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
◇高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
変更の範囲:本文参照
対象となる方
<応募資格/応募条件>
■必須条件:
・半導体の製造ライン経験
・海外ファンダリーとの折衝能力
■歓迎条件:
・QC管理や物流経験
勤務地
本社
住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり
変更の範囲:本文参照
<勤務地補足>
【変更の範囲:無】
<転勤>
無
<オンライン面接>
可
勤務時間
9:00~18:00 (所定労働時間:8時間0分)
休憩時間:60分
時間外労働有無:有
<その他就業時間補足>
■残業:月平均20時間
雇用形態
正社員
<雇用形態補足>
期間の定め:無
<試用期間>
3ヶ月
※期間中の待遇に変更はありません。
給与
700万円~1,100万円
<賃金形態>
年俸制
<賃金内訳>
年額(基本給):3,809,532円~7,619,052円
固定残業手当/月:99,206円~198,413円(固定残業時間20時間0分/月)
超過した時間外労働の残業手当は追加支給
<月額>
416,667円~833,334円(12分割)(一律手当を含む)
<昇給有無>
有
<残業手当>
有
<給与補足>
※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。
賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
待遇・福利厚生
<各手当・制度補足>
通勤手当:月上限2万円
社会保険:社会保険完備
<定年>
65歳
再雇用:上限70歳まで
<教育制度・資格補助補足>
■OJT研修
<その他補足>
■転職に伴う引越し費用負担(規定あり)
■服装自由
■ストックオプション
■従業員専用駐車場あり
【その他】
・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み
・昇給については成果/実績に応じて配分あり
休日・休暇
年間有給休暇10日~20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります)
年間休日日数120日
年末年始休暇
会社概要
- 事業概要
■事業内容:
GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。
日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。- 所在地
〒615-8245
京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室- 設立
- 2019年12月
- 従業員数
- 12名
- 上場市場名
- 非上場
- 資本金
- 70百万円
応募方法
応募方法
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【拠点名】シンガポール:PERSOLKELLY Singapore Pte Ltd
香港:PERSOLKELLY Hong Kong Limited
韓国:PERSOLKELLY Korea, Ltd.
台湾:台灣英創管理顧問分有限公司
ベトナム:PERSOLKELLY Vietnam Company Limited
中国:英創人材服務(上海)有限公司、英創人力資源服務(深セン)有限公司
マレーシア:Agensi Pekerjaan PERSOLKELLY Malaysia Sdn. Bhd.
フィリピン:John Clements. Recruitemt,Inc.
タイ:PERSOLKELLY HR Services Recruitment (Thailand) Co., Ltd.