Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

【京都／転勤無し】パワー半導体デバイスの設計開発 ◆業界最先端の技術開発／年休120日◆

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～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／大手半導体メーカー出身社員（10~30年以上の経験を有するメンバー）と共に高度な技術開発ができ、顧客の要望に沿った製品を一から作り上げることができます！～

■採用背景：
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制・信頼性確保・量産体制を強化するための採用です。

■業務内容：
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。【変更の範囲：会社の定める業務】

■配属先情報：
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で１0～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。

■成長計画：
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。

■当社について：
◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

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＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方
（例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等

■歓迎条件：
・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験




＜語学補足＞
【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

＜勤務地詳細＞
本社
住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

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＜勤務地補足＞
【変更の範囲：無】

＜転勤＞
無

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
専門業務型裁量労働制
みなし労働時間/日：8時間00分
休憩時間：60分
時間外労働有無：無

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～18:00

正社員

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＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月
条件の変更なし

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：上限2万円
社会保険：補足事項なし

＜定年＞
65歳

＜教育制度・資格補助補足＞
なし

＜その他補足＞
※転居費用負担 / 規定有
※駐車場は有料（8,800円／月）
【その他】
・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み
・昇給については成果・実績に応じて配分あり

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年間休日日数120日

年末年始休暇