Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

【京都／転勤無】パワー半導体の評価・解析◇スペシャリスト集団／量産化に向けた成長フェーズに関われる◎

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～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！世界中のスペシャリストと一緒に働く貴重な経験ができます◎～

▼事業ミッション
これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。
現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。
今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。

▼業務内容
電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるエコデバイスの実現のため製造された半導体製品の長期的な信頼性を検証し、耐久性や故障メカニズムを解析していただきます。

▼製品について
Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.)
大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。
今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。

▼入社後・配属組織
大手半導体メーカー（TI／ON Semiconductor／日立／三菱電機／ルネサス／ローム）等で20～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。
一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。

▼在籍社員の入社理由
・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい
・世界中のスペシャリストと最先端技術を推進させたい
ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。

▼給与形態
専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み

▼当社について：
◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

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＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
以下いずれかのご経験がある方
（1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
（2）ファウウンドリーでのデバイス試作経験
（3）デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
（4）パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
（5）半導体デバイスの信頼性評価技術の実務経験



＜語学補足＞
【必須】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

＜勤務地詳細＞
本社
住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室
勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり
変更の範囲：会社の定める事業所

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＜転勤＞
無

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
専門業務型裁量労働制
みなし労働時間/日：8時間00分
休憩時間：60分
時間外労働有無：無

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～18:00

正社員

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＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月
条件の変更なし

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：上限2万円
社会保険：補足事項なし

＜定年＞
65歳

＜教育制度・資格補助補足＞
なし

＜その他補足＞
■転職に伴う引越し費用負担（規定あり）
■服装自由
■ストックオプション
■従業員専用駐車場あり

【その他】
・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み
・昇給については成果・実績に応じて配分あり

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年間休日日数120日

年末年始休暇