三菱電機株式会社

【兵庫/伊丹】次世代高周波・光デバイスに向けた化合物半導体基盤技術の開発 ◆リモート有（週3程）

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【リモートワーク制度有（週3日程度利用可能）／年休125日／残業平均25H／年収500～1110万】

■職務内容：
化合物半導体高周波・光デバイスの開発を担当していただきます。材料はIII-V族を想定しています。シミュレーション技術を活用したデバイス物理性能設計、デバイス試作評価、デバイス計測評価技術開発、パッケージ開発、信頼性評価等、を行い、次世代デバイスを市場投入できる製品に仕上げるための基盤技術開発を行います。

■職務詳細：※一部業務を外部に委託し、連携して推進することを含みます
（1）開発構想（技術・文献調査、市場・顧客調査）
（2）物理設計（性能シミュレーション）
（3）工程設計（フォトマスクパターン、工程フロー、工程別処理条件の設定）
（4）新規要素技術導入（新規プロセス、新規材料）　
（5）試作工程管理　（試作品の各工程の出来映え確認、進捗管理）
（6）試作品評価　（性能評価、信頼性試験、不良解析）
（7）パッケージ　（半導体チップを固定し配線するパッケージの開発）
（8）評価技術開発　（特性評価技術、信頼性試験技術）

※将来的には、新規基盤技術開発のリーダー/マネージャーとしてグループを牽引いただくことを期待

■業務のやりがい：
先進技術開発センターの開発は難度の高い業務ですが、以下の５点を両立できるやりがいの大きい業務です。
(1)将来の市場規模の大幅拡大が見込まれる、(2)基盤技術開発・製品開発の初期段階から参画できる、(3)自分の戦略、アイディアを開発計画、新製品の強みに生かすことが出来、戦略立案・推進に長けた製作所各部門との議論を通じてブラッシュアップできる、(4)開発の基となる競争力の高いコア技術が利用でき、量産にも反映できる、(5)きちんと成果が出る。

■事業・製品の優位性：
当社の高周波デバイス、光デバイスは、開発から量産まで一貫して北伊丹地区でウエハ製造を行っています。培ったコア技術（設計技術、結晶成長技術、ウエハプロセス技術、品質保証技術、等）は現在でも世界トップシェア製品を複数有し、市場価格の下落や中国等競合他社との競争など、厳しい事業環境に置かれながらも高い収益性を実現する強みを持ち続けています。先進技術開発センターは、これらの強みを生かした基盤技術開発を行い、新しい市場を開拓します。



変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院卒以上

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＜応募資格/応募条件＞
■必須要件：
・理工学系修士課程以上出身の方
・大学で以下のいずれかの科目の履修歴あり
　- 電磁気学、電子回路、半導体工学、デバイス工学、材料物性、量子力学、情報通信工学、光学、量子光学

■歓迎要件：
・半導体材料、デバイスの研究開発従事経験（大学時代の経験も可）
・物理シミュレーションの経験あり。プログラム自作経験があればさらにベター
・理工学系博士学位をお持ちの方
・IEEE、応用物理学会、電子情報通信学会、等の会員資格を維持している方

＜勤務地詳細＞
高周波光デバイス製作所
住所：兵庫県伊丹市瑞原4-1
勤務地最寄駅：JR／阪急各線／伊丹駅
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり
変更の範囲：会社の定める事業所

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＜転勤＞
当面なし
■当面は転勤はございません。


＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：45分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:00
＜その他就業時間補足＞
■残業：月平均25h程

正社員

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＜雇用形態補足＞
期間の定め：無
■補足事項なし

＜試用期間＞
3ヶ月
■補足事項なし

通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：会社規定に基づき支給
家族手当：補足事項なし
住宅手当：■家賃補助（上限5万円・8年間・配偶者有のみ）
寮社宅：■独身寮（扱物件）・社宅あり
社会保険：■補足事項なし
厚生年金基金：■補足事項なし
退職金制度：■退職金前払制度選択可。確定拠出年金制度あり

＜定年＞
60歳

＜教育制度・資格補助補足＞
■各種研修、資格補助優遇制度あり

＜その他補足＞
■寮、社宅、家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇20日～25日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数125日

■土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など（会社カレンダー）
■年次有給休暇：入社時より付与、入社日により変動（4～20日）
■その他：チャージ休暇2～4日（30歳、40歳、50歳到達年