リョーサン菱洋株式会社

【築地】半導体FAE／アプリケーションエンジニア※設計・評価経験歓迎／SiC・GaN／プライム上場G

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～回路設計・評価経験を活かし、FAEへキャリアアップ／SiC・GaNなど次世代パワー半導体に携わる／顧客の製品開発を技術面から支援／設計・評価から提案まで一貫して関われる成長ポジション～

■ 業務内容
パワー半導体のFAE（Field Application Engineer）として、営業部門および仕入先メーカーと連携しながら、お客様の技術課題の解決と製品採用の促進を担います。単なる製品説明にとどまらず、アプリケーションに応じた最適な技術提案・評価支援を通じて、顧客の開発を支援するポジションです。

■ 主な業務
・お客様・仕入先メーカーとの技術ミーティング（訪問・Web）
・技術問い合わせ対応およびメーカーへのエスカレーション
・営業チームとの案件進捗共有
・提案資料・技術資料（アプリケーションノート等）の作成・更新
・回路設計・電源設計のサポート（シミュレーション／実機評価）
・不具合発生時の解析・レポート作成（波形測定など）
・展示会・セミナーでの製品紹介、技術プレゼン

■開発・評価環境
シミュレータ、オシロスコープ、電源評価ボード等

■魅力点
・最先端技術に携われる
SiCやGaNなどの次世代パワー半導体を用いたソリューション提案に関わり、自動車・産業機器・エネルギー分野など成長市場の最前線で活躍できます。
・お客様の製品開発に直結する貢献
FAEとして設計段階から深く関わり、技術提案や課題解決を通じてお客様製品の完成に直接寄与できるやりがいがあります。
・幅広いスキルの習得
回路設計や評価スキルだけでなく、お客様対応力・提案力・プロジェクトマネジメント力も磨け、技術とビジネス両面で成長可能です。
・グローバルな環境での活躍
海外の開発拠点や工場を持つグローバルなお客様、仕入先メーカーの海外設計/当社海外営業拠点とのやり取りが必要となり、英語力や異文化コミュニケーション力も発揮・習得できます。


変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

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＜応募資格/応募条件＞
■必須条件
・半導体の知見（MOSFET、IGBT、またはSiC/GaNデバイスの基礎的な理解）

■歓迎条件
・アナログ回路またはパワーエレクトロニクス回路の設計・評価経験
・モータ制御、インバータ回路、DCDCコンバータなどの設計経験

＜勤務地詳細＞
リョーサン菱洋本社
住所：東京都中央区築地一丁目12番22号コンワビル
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

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＜転勤＞
当面なし

＜勤務時間＞
9:00～17:30 （所定労働時間：7時間30分）
休憩時間：60分（12:00～13:00）
時間外労働有無：有
＜その他就業時間補足＞
残業20時間／月程度

正社員

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＜雇用形態補足＞
期間の定め：無
補足事項なし

＜試用期間＞
3ヶ月
補足事項なし

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：補足事項なし
社会保険：社会保険完備
退職金制度：補足事項なし

＜定年＞
60歳

＜教育制度・資格補助補足＞
■OJT、階層別研修制度、資格取得支援制度、選抜型リーダー研修制度、各部門別研修制度　など

＜その他補足＞
各種保険、企業年金、財形貯蓄制度、選択型確定拠出年金制度、社員持株会制度、貸付金制度、保養施設(熱海保養所)、健保施設(上総一宮･熱海伊豆山)、リゾート施設、福利厚生倶楽部、英会話補助(レアジョブ、GABA)　など

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇15日～25日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数125日

年末年始休暇、慶弔休暇、有給休暇