掲載予定期間：2026/7/16（木）～2026/10/14（水）更新日：2026/7/16（木）

住友電工デバイス・イノベーション株式会社

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

求人詳細

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募集要項

おしごと用語集

仕事内容

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

～GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験を活かせる／東証プライム上場住友電工グループ／土日祝休～

■業務概要
携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。

■業務詳細
・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化

■扱う技術領域
・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜等
・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ

■開発フロー（目安）
顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開

■期待する役割・ミッション
GaN HEMTまたは類似の化合物半導体高周波デバイス領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。

■キャリアパス
入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。

■組織構成
GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。

変更の範囲：会社の定める業務

対象となる方

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
・GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験
・化合物半導体の結晶成長(MOCVD等)またはプロセス開発の実務経験
・RFパワートランジスタ(LDMOS、GaN含む)の設計・特性評価の実務経験
・上記に類する半導体デバイス開発のシニアスペシャリスト経験

勤務地

＜勤務地詳細＞
山梨事業所
住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める場所（リモートワーク含む）

＜転勤＞
当面なし

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

勤務時間

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
コアタイム：11:00～14:00
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:15
＜その他就業時間補足＞
平均残業時間：月20時間程度

雇用形態

正社員

＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月

給与

＜予定年収＞
450万円～800万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：280,000円～400,000円

＜月給＞
280,000円～400,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※経験・能力等を考慮し当社規定により決定
■賞与：年2回（6月・12月 ※2025年度実績　5.3ヶ月）
■昇給：年1回（6月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

待遇・福利厚生

通勤手当、家族手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：■実費支給（月400円のみ個人負担）
家族手当：■配偶者20,000円、他扶養親族4,500円／人
寮社宅：■転勤者のみ入居可※借り上げ社宅制度
社会保険：補足事項なし
退職金制度：■企業年金制度により、年金選択も可

＜定年＞
65歳

＜育休取得実績＞
有

＜教育制度・資格補助補足＞
社内育成プログラム、SEIグループ内教育プログラム、部門内教育プログラム、社外講習会・展示会・学会聴講の機会、資格取得支援

＜その他補足＞
・企業年金制度
・持株会（住友電気工業株式会社）
・財形貯蓄制度（一般・住宅・年金）
・社員食堂：あり
・諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当

休日・休暇

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇20日～20日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数122日

・積立休暇／リフレッシュ休暇
・特別休暇（慶弔休暇など）／計画有休制度（個人計画有休5日）
・半日有給休暇／時間単位有給休暇
・年末年始休暇
・産育休：産育休取得実績あり

会社概要

事業概要: ■事業概要：
化合物半導体を使用した電子デバイス及び光デバイス並びにこれらの応用製品の開発・製造

■事業詳細：
住友電工デバイス・イノベーション（略称：SEDI）は、住友電気工業株式会社と富士通株式会社の折半出資会社のユーディナデバイス株式会社として、2004年4月に設立され、2009年4月の住友電気工業株式会社による完全子会社化を経て、同社の光伝送デバイス事業を統合再編し、同年8月発足されました。
「最小の消費電力で、最大のデータ伝送を可能にする化合物半導体デバイスの提供による、デジタル社会およびカーボンニュートラルの実現。」をSEDI Visionに掲げ、化合物半導体を材料とするデバイス及びその応用製品の開発・製造を行っています。具体的には、｢光通信網に用いられる光素子などのデバイスや光トランシーバなどのモジュールに関わる事業｣と｢移動体通信、衛星通信、車載レーダなどに用いられるHEMTやMMICなどの無線通信デバイスに関わる事業｣を展開しており、それぞれの事業において、グローバルマーケットで1、2位を争うシェアを占めています。

■特徴：
化合物半導体には、ガリウム砒素、インジウムリン、窒化ガリウムなどの素材が使用されており、シリコン等と比べて、高速動作・受発光機能・熱や放射線に強いなどの特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能です。消費電力も少なく、小型化も容易なため、情報通信関連分野は勿論、自動車関連や民生エレクトロニクスなど、より幅広い産業分野での利用が進んでいます。

■事業所：
本社／横浜市栄区金井町1
山梨事業所／山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
所在地: 〒244-0845
神奈川県横浜市栄区金井町1
設立: 1984年5月
従業員数: 1,575名
上場市場名: 非上場
資本金: 15,000百万円
平均年齢: 44.8歳
企業URL: http://www.sedi.co.jp/

応募方法

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求人コード 3015548252